Поперечное электромагнитное поле

Cтраница 1

Поперечное электромагнитное поле ТЕМ может существовать только в устройствах, состоящих из нескольких, не соединенных между собой проводящих тел, вдоль которых может течь в разные стороны электрический ток. [1]

Радиочастотные кабели имеют поперечное электромагнитное поле. При этом составляющие напряженности электрического и магнитного полей ( Е и Я) лежат в плоскости поперечного сечения кабелей. Волны высших типов имеют продольные составляющие электрического и магнитных полей, и в этом их принципиальное отличие от рассматриваемых ранее электромагнитных полей кабельных линий различной конструкции. Эти волны появляются в том случае, когда поперечные размеры кабеля становятся соизмеримы с длиной волны. [2]

Радиочастотные кабели имеют поперечное электромагнитное поле. При этом составляющие напряженности электрического и магнитного полей ( Е и Н) лежат в плоскости поперечного сечения кабелей. Волны высших типов имеют продольные составляющие электрического и магнитных полей, и в этом их принципиальное отличие от рассматриваемых ранее электромагнитных полей кабельных линий различной конструкции. Эти волны появляются в том случае, когда поперечные размеры кабеля становятся соизмеримы с длиной волны. [3]

В коаксиальных цепях отсутствует наружное поперечное электромагнитное поле, являющееся основным источником взаимных влияний в симметричных кабелях. Однако взаимное влияние существует и между коаксиальными цепями. [4]

Закон дисперсии поляритонов в кристалле. [5]

При & сооУео / с вклад поперечного электромагнитного поля в поляритонную волну мал и закон дисперсии определяется зависимостью со для фононной подсистемы. [6]

Два значения индекса X отвечают двум независимым поляризациям поперечного электромагнитного поля в вакууме. Значение 71 соответствует выбору множителя cosfer в (3.157), а ч 2 отвечает выбору sinkr. При этом следует допускать изменения волнового вектора k лишь в пределах полупространства. [7]

Зависимость коэффициента поглощения от частоты в круглом волноводе для волн типа.| ЛО. Согласование двухпроводной линии с нагрузкой с помощью трансформатора. [8]

Я, которые содержат также и поперечные составляющие, присущие поперечному электромагнитному полю. [9]

Теория электромагнитного поля показывает, что в случае коаксиальной линии, если только ее поперечные размеры соизмеримы с длиной волны, может возникать поле, коренным образом отличающееся от ранее рассмотренного поперечного электромагнитного поля. [10]

Учет же с помощью уравнений Максвелла и поперечного поля ( как было показано выше, в оптике существенно только длинноволновое поперечное поле) приводит к закону дисперсии экситон-ных поляритонов ( аналог поляритонов в случае электронных возбуждений), который был бы получен в полной квантовомеханиче-ской теории из полюсов выражения (15.6) для % е) при полном учете в гамильтониане и наведенного поперечного электромагнитного поля среды. Именно такие поляритоны и являются реально: наблюдаемыми возбужденными состояниями ( нормальными волнами) кристалла в экситонной области энергий. [11]

Иначе говоря, при / z О векторы поля Е и Н лежат в поперечной плоскости и само поле является поперечным. Поперечное поле, соответствующее Н 0, обозначается символом ТЕМ и называется поперечным электромагнитным полем. [12]

Известная теорема утверждает, что если в некоторой области плоскости х, у функция W ( x, у) удовлетворяет уравнению Лапласа ( 1 38е) и принимает на замкнутом контуре, ограничивающем эту область, постоянное значение, то она сохраняет это постоянное значение во всех точках внутри рассматриваемой области. Поэтому если изучаемое устройство таково, что контур, ограничивающий его поперечное сечение, всеми своими точками лежит на идеально проводящей оболочке, то F const и слагающие поля ТЕМ по ( l 38d) и ( l 38f) исчезают. Следовательно, в таком устройстве поперечное электромагнитное поле ТЕМ не может возникнуть. [13]

Если дно экситонной зоны расположено в области волновых векторов k k0: QJc, то при низких температурах будет заселена лишь область зоны с k & k0, так что бесфононная экситон-ная люминесценция будет затруднена. Эксперимент, однако, свидетельствует о том, что это заключение во многих случаях не подтверждается ( ширина оказывается много больше k T [198]) и тем заметней, чем больше сила осциллятора экситонного перехода. Для того чтобы объяснить возможность такого рода эффекта, достаточно вспомнить, что запаздывающее взаимодействие приводит в области малых k к существенной перенормировке спектра экситона и к образованию поляритонов. Поэтому эти поляритоны сильно взаимодействуют с колебаниями решетки и ее дефектами, ибо именно электроны, а не поперечное электромагнитное поле непосредственно взаимодействуют с решеткой и именно для них наиболее вероятны процессы безызлучательного рассеяния энергии электронного ( экситонного) возбуждения в теплоту. Наоборот, у поляритонов с малыми k ( k QJc) экситонная часть энергии мала, а энергия поля поперечных фотонов преобладает. Эти поляритоны слабо рассеиваются на колебаниях решетки, способны добраться до поверхности кристалла и дать свет люминесценции. [14]

Такой подход отвечает описанию взаимодействия между зарядами только с помощью кулоновских сил. С точки зрения квантовой электродинамики [403] кулоновское взаимодействие между зарядами обусловлено обменом виртуальными скалярными и продольными фотонами. Что же касается запаздывающего взаимодействия, то, согласно квантовой электродинамике, это взаимодействие возникает лишь при учете взаимодействия зарядов с поперечным электромагнитным полем и обусловлено учетом обмена между зарядами виртуальными поперечными фотонами. [15]

Страницы: 1 2