Cтраница 2
Так как в дальнейшем мы не будем учитывать индуцированное поле, то целесообразно рассмотреть условия, при которых можно пренебречь его влиянием. В данном частном случае также представляется возможным, воспользовавшись простотой задачи, обсудить граничные условия, налагаемые на индуцированное поле ( см. разд. [16]
Так как в дальнейшем мы не будем рассматривать ( индуцированное поле, то необходимо оценить условия, при которых этим полем можно пренебречь. Рассматриваемая нами задача предоставляет также возможность анализа граничных условий для индуцированного поля ( см. раздел Н В) на простом примере. [17]
Сравним работу внешней силы с работой, которую совершает индуцированное поле при перемещении зарядов по цепи. [18]
Подставляя аппроксимацию (28.3), (28.4) в уравнения теплопроводности и индуцированного поля, легко найти соответствующие распределения температуры и поля. [19]
![]() |
Измеритель - [ IMAGE ] Двухрамоч - [ IMAGE ] Вертикальные и ное устройство с диф - ный дифференциальный горизонтальные составля. [20] |
На рис. 150 показан характер горизонтальной и вертикальной компонент индуцированного поля Н над выходом хорошо проводящей рудной жилы. Все три компоненты магнитного поля измеряются относительно редко. [21]
Заметим, что в рассматриваемой системе полупроводник, несмотря на наличие внутреннего индуцированного поля, находится в состоянии больцмановского равновесия, так как нет результирующего тока. Значит, уровень Ферми во всех частях полупроводника постоянный: ф / г const. [22]
Заметим, что в рассматриваемой системе полупроводник, несмотря на наличие внутреннего индуцированного поля, находится в состоянии больцмановского равновесия, так как нет результирующего тока. Значит, уровень Ферми во всех частях полупроводника постоянный: Ф / - const. [23]
Индукционный эффект состоит во взаимодействии диполя одной молекулы с диполем, индуцированным полем диполя первой молекулы в соседней молекуле. [24]
Для ряда простых областей ( полупространство, слой, сфера и др.) индуцированное поле может быть найдено с помощью так называемого метода отражений, сущность которого заключается в том, что вне рассматриваемой области по определенному закону помещаются заряды. Эти заряды называются изображениями, или образами, исходного заряда относительно данной границы. В случае плоской границы образы являются зеркальными изображениями оригинала в плоскости или плоскостях, если область ограничена несколькими плоскостями. [25]
Для ряда простых областей ( полупространство, слой, сфера и др.) индуцированное поле может быть найдено с помощью так называемого мегсда отражений, сущность которого заключается в том, что вне рассматриваемой области по определенному закону помещаются заряды. Эти заряды называются изображениями, или образами, исходного заряда относительно данной границы. В случае плоской границы образы являются зеркальными изображениями оригинала в плоскости или плоскостях, если область ограничена несколькими плоскостями. [26]
![]() |
Электрические характеристики МГД-генератора. г г V.| Зависимость степени термической ионизации воздуха от температуры. [27] |
На электродных пластинах создается электрическая разность потенциалов, равная разности внешнего поля и индуцированного поля с напряженностями Е и Е - тя соответственно. [28]
Итак, при отсутствии потерь работа внешней силы оказывается равной работе, совершаемой индуцированным полем при перемещении зарядов по цепи. [29]
![]() |
Распределение скорости при течении о плоском канале. [30] |