Электростатическое поле - заряд
Cтраница 1
Электростатическое поле зарядов, находящихся вне этой оболочки, будет внутри ее точно равно нулю. Таким образом электростатическая экранировка осуществляется просто и эффективно. [1]
Попадая в электростатическое поле зарядов фотополупроводникового слоя, частицы красителя притягиваются к тем участкам поверхности, на которых сохранился электрический заряд, оседая на слое фотополупроводника с неравномерной плотностью, вследствие чего скрытое электростатическое изображение превращается в видимое. Отпечаток изображения производится контактным способом на обычную писчую бумагу, которая предварительно заряжается до потенциала более высокого, чем потенциал светочувствительного слоя и, следовательно, обладает большими силами притяжения частиц порошка, чем светочувствительный слой. Изображение закрепляется на бумаге путем подогрева. При этом порошок плавится и приклеивается к бумаге, заполняя в ней поры. Если бумага белая, а порошок черный, то для получения позитивного изображения на бумаге необходимо получить позитивное изображение на светочувствительном слое. После печати светочувствительная пластина очищается от остатков красителя. [2]
Теория, учитывающая электростатическое поле зарядов, приводит к выводу о существенном влиянии этого фактора на распределение концентрации ионов в зерне ионита и объясняет наблюдаемую асимметрию кинетики прямого и обратного процессов обмена одной и той же пары противоионов на одном и том же ионите. [3]
 |
Бивакансия в ионном кристалле. [4] |
Поскольку в совершенном щелочно-галлоидном кристалле электростатическое поле заряда практически не экранируется, то заряженные вакансии обладают дополнительной кулоновской энергией, отсутствующей у вакансий в неионных кристаллах. [5]
Во многих задачах, связанных с электростатическим полем зарядов, расположенных в конечной области пространства, потенциал бесконечно удаленной точки удобно принимать равным нулю. [6]
Теорема Гаусса и постулат Максвелла дают возможность решить ряд задач об электростатическом поле зарядов в тех случаях, когда условия симметрии делают очевидным общий характер поля. Некоторые результаты рассмотренных нимсс примеров имеют практический интерес, но главное их значение заключается в том, что в процессе их решения отчетливо разъясняются некоторые важные положения электростатики. [7]
Иногда поле типа (15.14) называют полем изображения или полем мнимых источников, имея в виду аналогию с электростатическим полем заряда, возникающим у проводящей поверхности и эквивалентным полю зеркального изображения заряда. [8]
Между одноименными зарядами, находящимися на поверхности заряженного проводника, действуют силы взаимного отталкивания. Заряд adS малого участка dS поверхности проводника находится в электростатическом поле зарядов, распределенных по всей остальной поверхности проводника. [9]
При простой форме инвертированной поверхности расчет электростатического поля, необходимый для определения величины У0, оказывается проще, чем исходная задача расчета емкости. В частности, когда инвертированная поверхность образована пересечением нескольких плоскостей, для расчета электростатического поля заряда qQ внутри заземленной инвертированной поверхности может быть использован принцип зеркальных отражений, и потенциал находится просто как сумма потенциалов отраженных зарядов. [10]
Описание процессов диффузии при ионном обмене учитывает в целом ряде моделей влияние электрического поля. В таких моделях перенос обменивающихся ионов в противоположных направлениях рассматривается как процесс взаимодиффузии, согласованный благодаря наличию электростатического поля зарядов. [11]
Как уже отмечалось, будучи спонтанно поляризованными сегнетоэлектрики разбиваются на домены. В самых общих чертах это явление обусловлено тем, что в результате разбиения свободная энергия уменьшается за счет снижения энергии электростатического поля зарядов спонтанной поляризации. Процесс разбиения на домены не может идти беспредельно, так как на образование границ между ними затрачивается определенная энергия. Видимо, равенство между энергией, выигрываемой за счет уменьшения энергии электростатического поля, и той энергией, которая необходима для образования стенок, ставит предел дальнейшему разбиению. Эти соображения справедливы для разомкнутого кристалла, но и в случае закороченного кристалла разбиение на домены тоже должно иметь место хотя бы потому, что в разных точках кристалла зародыши спонтанно поляризованных областей могут иметь различные направления поляризации. [12]
Во всем этом пока есть один недостаток - мы предположили, что поле Е поперечно. Пусть вблизи границы помещен точечный заряд. Тогда для стационарных полей BZ G всюду, а Еу 0 на границе, что соответствует электростатическому полю заряда вблизи проводящей границы. Тем самым точечный заряд притягивается к границе, что в некоторых случаях может вызвать очень большие трудности. Коррекция V Е на это не влияет. Лечение заключается в вычитании в (15.44) и (15.46) - др / ду из Еу. Тогда стационарные поля совпадают с полученными при решении уравнения Пуассона с открытыми граничными условиями и не возникают действующие на заряд силы. [13]
Содержание предыдущих параграфов убеждает нас, что в пространстве, окружающем заряженное тело, происходят какие-то изменения, которые сказываются прежде всего в том, что на всякое другое заряженное тело, помещенное в это пространство, действуют силы. Мы охарактеризовали это свойство, проявляющееся в действии сил на заряды, с помощью вектора напряженности Е, а всю упомянутую область действия зарядов назвали электростатическим полем. Наконец, для характеристики работы, совершаемой при перемещении в электростатическом поле зарядов, был введен потенциал V, имеющий также в каждой точке поля определенное значение и, вообще говоря, меняющийся от точки к точке. [14]
В настоящее время существуют следующие представления о строении двойного слоя. Соприкосновение двух фаз, как указывалось, приводит к возникновению противоположных зарядов на границах раздела фаз. Ионы и молекулы жидкой фазы, находящиеся в непосредственной близости от поверхности твердой фазы, испытывая действие больших электростатических сил, образуют адсорбционный слой. На ионы вне этого слоя действуют противоположно направленные силы: с одной стороны - силы молекулярного теплового движения, которые стремятся распределить их равномерно, с другой стороны - силы электростатического поля зарядов, представляющего разность между поверхностной плотностью зарядов твердой фазы и плотностью зарядов адсорбционного слоя. В результате концентрация ионов по мере удаления от границы адсорбционного слоя уменьшается по статистическому закону Больцмана аналогично распределению газовых молекул в поле сил тяжести. Слой с рассеянным распределением, ионов называется диффузным. [15]
Страницы: 1 2