Контактное поле

Cтраница 5

Энергетическая диаграмма контакта металл - полупроводник д-типа для случая Фп Фм ( а и Фп Фм ( б. [61]

Следовательно, действие контактного поля в этом случае сводится согласно формуле (1.27) к увеличению проводимости приконтактного слоя полупроводника. [62]

Энергетическая диаграмма контакта металл - полупроводник гс-тииа. [63]

Следовательно, действие контактного поля в этом случае сводится согласно формуле (1.48) к увеличению проводимости приконтактного слоя полупроводника. [64]

Энергетическая диаграмма контакта металл - полупроводник д-типа для случая Фп Фм ( а и Фп Фм ( б. [65]

Следовательно, действие контактного поля в этом случае сводится согласно формуле (1.27) к увеличению проводимости приконтактного слоя полупроводника. [66]

Каждый контакт ламели контактного поля второго контроллера соответствует определенной раме ЛИ. Первый контакт контроллера соответствует первой раме ЛИ, второй контакт контроллера - второй раме, тринадцатый контакт контроллера - тринадцатой раме. [67]

С ламели 2 шестого контактного поля шагового искателя 1ШИ подается напряжение на обмотку реле ЗР, которое контактами ЗРг и ЗР2 включает контактор КЗ. Контактор КЗ включает электромагнитную муфту МТЗ и пускает электродвигатель ДЗ, который приводит во вращение кулачок, освобождающий путевой выключатель ПВЗ, обесточивая обмотку реле ЗР. На этом подготовка включения механизма подачи и зажима материала заканчивается. [68]

С ламели 3 первого контактного поля шагового искателя 1ШИ подается напряжение на обмотку реле ЗР. Происходит цодача и за им материала. [69]

Страницы: 1 2 3 4 5