Cтраница 2
Отсутствие в природе магнитных масс позволяет рассматривать формулы магнитостатического поля только как расчетные формулы. [16]
Направления продольное и поперечное отнесены здесь к направлению магнитостатического поля. [17]
В работе было найдено распределение z - компоненты напряженности магнитостатического поля пермаллоевой аппликации Т-I-формы, усредненной по высоте магнитоодноосного кристалла h ( рис. 8, б, где / 100 мкм, Ъ 25 мкм, а 1 мкм, 2г - 35 мкм. [18]
При достаточно большой дисперсии намагниченности для перемагничивания не требуется участия магнитостатического поля, выходящего из вершины лабиринтного домена. [20]
Система интегральных уравнений (2.213) и (2.214) может быть использована для расчета магнитостатического поля в нелинейной среде методом последовательных приближений. H), уточняют предыдущее распределение магнитной проницаемости, после чего начинают новый шаг последовательных приближений. [21]
Таким образом, при образовании ДС важную роль могут играть маг-нитоупругая энергия и энергия магнитостатического поля. [22]
Величина С ( или D) определяется из условия минимизации энергии, включащей в себя энергию магнитостатического поля. [23]
Следует отметить, что теорема применима не только к линеаризованному потоку относительно потенциального поля ( случай, который рассматривается в следующем пункте), но также и к любому общему нелинейному двумерному магнитостатическому полю. Кроме того, она справедлива для любой силовой линии в двумерном приближении, проходящей через точку стагнации, и означает, что поток через такую силовую линию невозможен. Теорема справедлива также и для любых ситуаций с размерностью два с половиной ( как, например, процесс переориентации магнитного поля, рассматриваемый в § 8.7, когда имеются дополнительные компоненты vz ( x, у), Bz ( x, у), jz ( x, у), jy ( x, у), Ех ( х, у) и Еу ( х, у), поскольку основная часть доказательства, а именно то, что Ez и jz постоянны, сохраняется. [24]
Если толщина промежуточного немагнитного слоя меньше, чем толщина доменной стенки, в ферромагнитных слоях могут наблюдаться ъ - фекты взаимодействия между находящимися рядом доменными стенками - Хотя эти эффекты всегда вызываются магнитостатическими полями, возникающими из доменных стенок, образующаяся структура стенок зависит от доменной структуры обеих ферромагнитных пленок и может быть одинаковой или различной. Индентичность доменной структуры в данном случае означает, что за исключением внутренних областей доменных стенок, в любой точке в плоскости этой пары пленок М в обеих пленках параллельны. Если обменная связь или сцепление между двумя ферромагнитными пленками вследствие шероховатости их поверхностей велики или если пленки имеют почти одинаковые ферромагнитные свойства, доменная структура может быть идентична; в противоположном случае домены могут образовываться в одной, но не возникать в другой пленке. [25]
![]() |
Геометрическая модель группы щелеобразных дефектов ( фрагмент.| Расчетное распределение осевой компоненты индукции электромагнитного. [26] |
Результаты численного анализа параметров магнитного поля, создаваемого магнитной системой снаряда-дефектоскопа КОД-ЗК-720 в области группы кольцевых щелеобразных дефектов, приведены на рис. 2 12 - 2.14. На рис. 2.15 - 2.17 представлены результаты численного анализа магнитостатического поля в области группы продольных щелеобразных дефектов трубы, создаваемого магнитной системой дефектоскопа. [27]
Магнитное поле неподвижных постоянных магнитов имеет такой же характер, как и поле около неподвижных сверхпроводящих контуров с токами, так как оно создается элементарными токами в теле магнита, протекающими без потерь энергии. Ввиду трудности учета элементарных токов в намагниченных телах, принято магнитостатическое поле рассматривать формально, как результат появления на поверхности тел наведенных магнитных масс. Достоинство этого формального метода заключается в его аналогии с методами, развитыми в электростатике. Поэтому в четвертой главе, в которой будет рассмотрено магнитостатическое поле, мы, согласно общепринятому, воспользуемся этим методом. [28]
![]() |
Диапазон длин волн ЛСЭ и соответствующие ускорители электронов. [29] |
Следующим конструктивным элементом ЛСЭ является устройство, которое обеспечивало бы осцилляторное движение электронов. Это, например, может осуществляться путем искривления траектории электрона в периодическом поперечном магнитостатическом поле, создаваемом ондулятором. Большинство разработанных в настоящее время ондуляторов представляют собой либо спиральные токовые обмотки, либо линейную цепочку из постоянных дипольных магнитов. [30]