Критическое поле

Cтраница 2

Наличие критического поля в антисегнетоэлектриках приводит в сильных переменных полях к их поляризации, которая в зависимости Р Р ( Е) имеет вид двойных петель гистерезиса. [16]

Величина критического поля для данного антисегнето-электрика зависит от температуры кристалла, точнее, от того, насколько ниже температуры перехода находится кристалл. Критическое поле определяет своеобразный переход антисегнетоэлектрической модификации в сег-нетоэлектрическую. [17]

Уменьшение критического поля по мере роста индукции объясняют несколькими причинами: увеличением отношения перемагничиваемого объема к поверхности границы; ростом сопротивления вихревым токам; непрерывным возрастанием действующего на зародыш поля по мере уменьшения размагничивающего фактора при более быстром росте длины по сравнению с шириной. [18]

Величина критического поля Екр определяется тем условием, что дополнительная скорость, приобретаемая частицей в поле, становится сравнимой с тепловой скоростью. [19]

Благодаря высокому критическому полю и сильному критическому току сверхпроводники в смешанном состоянии используются в сверхпроводящих соленоидах для создания сильных магнитных полей без диссипации. Перечислим свойства, которыми должен обладать материал, служащий для изготовления соленоидов. [20]

Зависимость намагнич енности монокристалла MnF2 от напряженности магнитного поля, ориентированного вдоль легкой оси ( 6 0 и отклоненного от нее на небольшие углы ( 8 равно 2 5 и 7 5. Т 4 2 К.| Опрокидывание подрешеток в одноосном антиферромагнетике в магнитном поле, параллельном легкой оси.| Магнитная фазовая диаграмма Мпр2 в магнитном поле, параллельном легкой оси. Экспериментальные точки получены с помощью измерения поглощения ультразвука в образце. спин-флоп фаза - состояние с опрокинутой конфигурацией моментов подрешеток (. [21]

В критическом поле Нс 93 3 кэ на кривой наблюдается резкий скачок, соответствующий фазовому переходу первого рода между двумя состояниями магнитной структуры. [22]

Якр - критическое поле в толще сверхпроводника, А / м; А - площадь поверхности подшипника, м2; q - коэффициент, меньший единицы и зависящий от формы подшипника и градиента поля. [23]

Обычно это критическое поле составляет 0 1 значения поля, необходимого для насыщения. Вычисление полного спектра спиновых волн в данном ферритовом образце сложно. Резонансная система состоит из решетки диполей, которые взаимодействуют с постоянным магнитным полем, включающим поле кристаллической анизотропии, а также взаимно друг с другом посредством сил двух типов. [24]

Чтобы найти термодинамическое критическое поле, приравняем друг другу свободные энергии Гиббса Gn и Gs обеих фаз. [25]

Влияние магнитного поля на характер движения электронов и ток в магнетроне.| Парабола критического режима. [26]

Определим величину критического поля. [27]

Недостатки применения критического поля сверхпроводников в качестве термометрического параметра состоят в том, что его использование ограничено небольшой областью температур и что термометрическое вещество должно быть отдельно выбрано для каждого исследования. Поэтому пользоваться этим методом для измерения температур оказывается весьма неудобно, за исключением некоторых отмеченных выше специальных случаев, когда исследуются другие свойства того же самого сверхпроводящего термометрического вещества. [28]

Оценим величину критического поля Екр, при которой нарушается закон Ома. [29]

Что касается идеального критического поля Нс ( 0), то знание его имеет важное теоретическое значение; оно важно также практически при конструировании соленоидов. Эту величину определяют при пропускании через образец токов очень небольшой величины. [30]

Страницы: 1 2 3 4