Тормозящее поле
Cтраница 2
При наличии тормозящего поля в базе ( знак фактора поля г) меняется на противоположный) та увеличивается с ростом ц, а коэффициент переноса к сильно уменьшается. [16]
 |
Принцип действия электростатической линзы. [17] |
В случае тормозящего поля ( рис. 3.16) продольная составляющая скорости движения электрона vx2 уменьшится по сравнению с vlt на ЛР за счет тормозящего действия электрического поля. [18]
 |
Условная схема лампы обратной волны типа О. 1 - электронная пушка. г - электронный пучок. з - замедляющая система. 4 - сгусток электронов. Л - коллектор. - пространство взаимодействия. [19] |
Под влиянием тормозящего поля он перемещается ( сначала медленно, потом все быстрее) к нулю поля, отставая от волны. Пока сгусток остается в тормозящем поле, он отдает энергию волне, а в том сечении лампы, где сгусток переходит в ускоряющее поле, мощность волны достигает максимума, определяющего кпд ЛБВ. Если же разность ve - и достаточно велика и соответствует правому краю зоны усиления, то в первоначально образующийся сгусток приходит много электронов из ускоряющей фазы поля, имеющих повышенную скорость, и поэтому сгусток быстро разваливается на два. Оба этих сгустка находятся сначала в тормозящем поле и отдают энергию волне. Затем, постепенно отставая от волны, один из них переходит в ускоряющее поле и начинает забирать энергию у волны; в том сечении лампы, где энергия, забираемая этим сгустком, равна энергии, отдаваемой другим сгустком, получается макс, мощность усиливаемой волны. [20]
 |
Колонна зеркального влектрон-ного микроскопа. [21] |
Эти электроды создают тормозящее поле. [22]
В дальнейшем наличие тормозящего поля не учитывается, так как оно не меняет принципиальных особенностей дрейфовых транзисторов. [23]
 |
Классификация ламп, работа которых основана на использовании пролетных эффектов. [24] |
В генераторе с тормозящим полем сетка имеет положительный, а анод - отрицательный потенциал относительно катода. [25]
Рассматривая диод с сильным тормозящим полем как сопротивление, имеющее температуру катода, получим выражение для среднего квадрата флюктуации тока во внешней цепи замкнутого накоротко диода. [26]
После прохождения в тормозящем поле разности потенциалов 67200 в электрон имел скорость ик3 26 - 10е м / сек. [27]
Если электроны влетают в тормозящее поле под углом р ркр, то они попадают на анод, если же они влетают под углом р р [ ф, то возвращаются к сетке. Угол ркр уменьшается по мере роста напряжения ug, поэтому с ростом ие количество электронов, возвращающихся назад, возрастает. [28]
 |
Характеристики транзистора. а - выходные. б - входные. [29] |
Увеличение напряжения ик уменьшает тормозящее поле, и коллекторный ток резко возрастает. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5