Управляющее поле

Cтраница 2

Описание вводных данных для печати ведомости удержаний членских профсоюзных взносов. [16]

При описании управляющего поля на бланке вводных данных в графе Управляющий уровень записывается соответствующий ему указатель уровня. [17]

Однако длительность управляющего поля в таких аппаратах с МК не должна быть меньше десятых долей - единиц миллисекунды. Второе название - ферриды более распространено. Оно появилось от слияния двух терминов: феррит и рид свич ( транскрипция английского термина reed switch - язычковый выключатель), так как первоначально ЭМП выполнялись из магнитотвердых ферритов. Если ЭМП располагается вне баллона МК, то такое исполнение классифицируется как феррид с внешним ЭМП. Роль ЭМП могут играть контактные сердечники МК или их части. Такие конструкции классифицируются как ферриды с внутренним ЭМП. [18]

Микропрограмма преобразования адреса. [19]

АЗУ в управляющем поле выработаны сигналы, которые отмечают некоторую ячейку о. [20]

В качестве одного управляющего поля могут использоваться несколько полей записи. В любом случае общая длина управляющего поля не должна превышать 256 байт. Если в качестве управляющих полей используются числа, то при определении, к какой группе относится запись, знаки чисел игнорируются. [21]

Рс - мощность управляющего поля и k ( - постоянная пропорциональности. [22]

У При повороте управляющего поля на 90 рассчитанное изменение скорости ЦМД для конкретной системы ( рис. 3, в, где I 100 мкм; Ъ 28 мкм; а 1 мкм; 2г0 35 мкм; б 0 3 мкм; Нс 7 9 А / м) практически совпадает с экспериментальным. [23]

При этом индукция управляющего поля должна лежать в пределах от 0 до 10 кгс, а нагрузка датчика Холла должна быть такова, чтобы обеспечивалась максимальная линеаризация его характеристики. [24]

Продвижение домена с помощью пермаллоевых аппликаций Т - структуры и вращающегося внешнего поля. [25]

За один оборот управляющего поля домен перемещается на один период продвигающей схемы. [26]

С каждым блоком связано управляющее поле, называемое ключом памяти. [27]

Приложение к этой пленке электрического управляющего поля позволяет изменять эти параметры, а следовательно, регулировать злектричеоиим путем характеристики комбинированной структуры, содержащей эту пленку. В этой структуре пленка наносится на подложку 2 с небольшой диэлектрической проницаемостью и хорошей теплопроводностью, например из материала MgO. Электроды 4, нанесенные на пленку, служат для приложения управляющего напряжения к пленочному элементу из нелинейного диэлектрика. Нанесение электродов на поверхность многослойной диэлектрической структуры уменьшает ее собственную добротность, искажает распределение поля, изменяет спектр собственных колебаний - и создает условия для возникновения новых колебаний структуры. Последнее обусловлено тем, что два планарных электрода с зазором между ними, расположенные на пленке, образуют щелевую линию. Если длина зазора кратна половине длины волны в щелевой линии, то образуется щелевой резонатор. Рассматриваемая структура представляет собой связанную систему: диэлектрический резонатор - щелевой резонатор. При изменении управляющего напряжения происходит перестройка двух связанных колебаний системы. [28]

Проводится сортировка массива по управляющим полям. Отсортированный массив В2 записывается на рабочую МЛ. [29]

С каждым таким блоком связывается управляющее поле, называемое ключом памяти. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5