Приложенное поле

Cтраница 2

Распределение Ферми - Дирака электронов по энергиям. [16]

Ускоряющему действию приложенного поля подвергаются все электроны. Однако в случае распределения Ферми-Дирака основную роль в процессе рассеяния играют электроны с энергией, близкой к энергии Ферми. [17]

Под влиянием приложенного поля различные компоненты двигаются к электродам с различной скоростью и разделяются на зоны. Однако после отключения электрофоретической ячейки все зоны начинают смешиваться за счет свободной диффузии. Следовательно, положение разделяемых частиц в ячейке следует оценивать в процессе их миграции. Для проведения таких измерений требуется дорогостоящее оборудование; необходим также строгий контроль экспериментальных условий, В связи с этим большинство электрофоретических измерений в настоящее время проводят методом зонного электрофореза. [18]

Параметры ВТ СП-материалов. [19]

Когда напряженность приложенного поля достигает Нс, на поверхности возникают нормальные сердцевины с окружающими их вихрями, которые распространяются по всему материалу. Пронизывающий вихри магнитный поток по направлению совпадает с потоком, создаваемым внешним магнитным полем, так что поток в материале уже не равен нулю, и величины намагниченности возрастают. [20]

График Аррениуса, изображающий изменение удельной проводимости изолятора в слабых полях.| Влияние влаги на удельную лро - видимость анодированных ZrG-пленок. [21]

В отсутствие приложенного поля ионная подвижность в любом твердом теле бывает очень низкой при температуре около 20 С. Вследствие этого пленки могут легко оказаться в закаленном или неравновесном состоянии; требуется несколько дней, чтобы привести их в термодинамическое равновесие. На графиках зависимости проводимости от температуры это может обусловить гистерезис вследствие переноса, ликвидации или образования дефектов решетки. [22]

Если напряженность приложенного поля Е очень мала, то скорость v дрейфа ионов по направлению к электродам будет невелика, а вероятность рекомбинации ионов - велика. [23]

Под влиянием приложенного поля дырки в кристалле пере двигаются в направлении поля со скоростью 1 9 км / сек. [24]

Таким образом относительно приложенного поля образец остается изотропным. В случае же фазового перехода возникающая анизотропия не должна соответствовать внешнему полю. [25]

Последовательность выполнения технологических операций при контроле деталей.| Основная кривая намагничивания. [26]

Контроль в приложенном поле не всегда обеспечивает более высокую чувствительность, чем контроль на остаточной намагниченности. Это объясняется тем, что при контроле в приложенном поле деталей, изготовленных из сталей с ярко выраженной текстурой, порошок осаждается: по волокнам металла, в местах структурной неоднородности, по следам грубой обработки поверхности, по рискам, в местах резкого изменения геометрии проверяемой поверхности, а также вследствие возможного неблагоприятного направления магнитного протока в детали. [27]

В обоих случаях приложенное поле было больше, чем поле в пределах последней дебаевской длины, и достаточно велико, чтобы ввести в действие концентрации носителей, необходимые для образования больших импульсных токов, ограниченных объемным зарядом. Импульсный характер токов, ограниченных объемным зарядом, определяется тем, что начальный ток соответствует ограниченному объемным зарядом току в кристалле без уровней прилипания. По мере захвата свободных носителей большой начальный ток уменьшается до относительно малого стационарного значения, соответствующего кристаллу с уровнями прилипания. [28]

Возможное распо - ПОВбрХНОСТеЙ СОПрИКаСЗЮЩИХСЯ ДОМе-ГСд ГоДНОМ, исТллеСлеез0аВ НОВ Т обрЗЗОМ, ДОМеННЗЯ СТРУК. [29]

Таким образом, слабое приложенное поле может вызвать благодаря движению границы очень сильный рост доменов и, следовательно, большое общее изменение намагниченности. Зернистая структура вещества может затруднить движение доменных границ. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5