Cтраница 2
Дсом по косинусоидальному закону. Амплитуда отклонения частоты равна ( 6 / M / t / c) AoM. Мы видим, что чем больше разность частот Дсом сигнала и помехи, тем больше глубина частотной модуляции, обусловленной действием помехи. [16]
Меньшие значения Q0 соответствуют косинусоидальному закону распределения давлений; большие - наиболее неблагоприятному случаю посадки клеммы с большим зазором, когда между ее ступицей и валиком будет линейный контакт. Там же приведен расчет при посадке клеммы с натягом. [17]
Для более точного расчета принимают косинусоидальный закон распределения давления ( фиг. [18]
Режимы / и 7 / соответствуют косинусоидальному закону изменения ускорений на прямом ходе и синусоидальному - на обратном. [19]
Следовательно, плотность намотки витков должна подчиниться косинусоидальному закону распределения. На рис. 8.6 показана форма отклоняющих катушек. Для уменьшения влияния краевых полей края катушек отгибаются. [20]
В большинстве случаев условия работы оборудования позволяют применять Косинусоидальный закон движения ( не последнюю роль здесь играет возможность получения минимальных габаритов), поэтому этот закон получил большее распространение, чем синусоидальный. [21]
Усилитель среднего значения тока ( а и временные диаграммы ( б. [22] |
Предположим, что напряжение питания транзистора изменяется по косинусоидальному закону епит ЫопЯтр. В остальное время проводящего полупериода диод в коллекторной цепи транзистора заперт и коллекторный ток отсутствует. [23]
Испарение из испарителя с малой площадью dAgaa элемент поверхности подложки tAr.| Испарение из испарителя с малой площадью ЛАе на сферическую поверхность колбы. [24] |
Уравнения ( 51а) и ( 516) представляют собой косинусоидальный закон распределения, который эквивалентен закону Ламберта в оптике. В соответствии с этим законом испарение вещества происходит неравномерно во всех направлениях, а преимущественно в направлениях, близких к нормали к испаряемой поверхности, где cos ф имеет максимальную величину. [25]
Схема восстановления изображений с голограммы Габора. 2 S21 17. [26] |
Распределение интенсивности света в плоскости фотопластинки Н изменяется по косинусоидальному закону. [27]
Направленные распределения пленок по толщине, которые не подчиняются косинусоидальному закону, но имеют выделенное направление в сторону подложки, расположенной над испарителем, были впервые исследованы в связи с эффузией газов из отверстий неидеальной формы. Клаузингом [128] было выведено уравнение распределения для эффузии из коротких труб. При этом он основывался на коси-нусоидальном законе распределения и учел влияние стенок, с которыми сталкиваются некоторые молекулы при прохождении трубы. Это приводит к распределению с центральным пикообразным максимумом и спадом, причем последний при больших углах испарения происходит быстрее, чем в случае косинусоидального распределения. Приближение Клаузинга, довольно хорошо выполняющееся для эффузии газов, неоднократно модифицировалось, как с целью применения для отверстий различных форм, так и для более адекватного описания наблюдаемых картин распределения. [28]
Основное магнитное поле максимально на оси сердечника и убывает по косинусоидальному закону до нуля в направлении к его поверхности. Для определения амплитуд Бп, т основной и различных высших гармонических составляющих магнитной индукции необходимо рассмотреть начальные условия в момент коммутации. [29]
Напряжение и ток вдоль линии в любой момент времени распределены по косинусоидальному закону. Из рисунка видно, что фаза напряжения и тока волны в различных точках линии неодинакова. [30]