Cтраница 4
В переменном поле может произойти перезарядка и металлической поверхности, при этом на частице и металлической поверхности образуются разноименные заряды, которые, взаимодействуя между собой, могут увеличить силы адгезии. Поэтому металлические поверхности очищаются под действием переменного поля хуже, чем изоляторы или полупроводники. [46]
В переменном поле написанное равенство не имеет места. [47]
В переменном поле это смещение надо представлять себе как происходящее бесконечно медленно. [48]
При переменном поле ток смещения, принципиально говоря, существует не только в диэлектриках, но также и в полупроводящих и проводящих веществах. [49]
В переменном поле написанное равенство не имеет места. [50]
При переменном поле ток смещения, принципиально говоря, существует не только в диэлектриках, но также и в полупроводящих и проводящих веществах. Действительно, под действием внешнего поля молекулы этих веществ должны поляризоваться так же, как и молекулы диэлектрика, и, кроме того, должно возникать смещение в пустоте. [51]
В переменном поле в результате электрострикции кристалл колеблется с частотой, удвоенной по сравнению с частотой поля, а в результате пьезоэффекта частота поля и деформации совпадают. Электрострикция обусловлена смещением зарядов под действием поля и имеет место для всех диэлектриков вне зависимости от их симметрии. Пьезоэффект же имеет место только в случае не-центросимметричных кристаллов. Количественно элек-трострикционная деформация, обусловленная квадратичным эффектом, меньше, чем пьезоэлектрическая. Следует заметить, наконец, что в некоторых пьезоэлектрических кристаллах поле, приложенное в определенных направлениях, не приводит к пьезоэлектрической деформации ( см. табл. 5), и в этом случае в пьезоэлектрике будет иметь место только электрострикционная деформация. В центросимметричных кристаллах электрострикция выступает в чистом виде и пьезоэффектом не маскируется. [52]