Дрейфовое поле
Cтраница 1
Дрейфовое поле существенно увеличивает скорость движения дырок в базе, а следовательно, уменьшает время прохождения дырками базовой области и улучшает частотные свойства транзистора. Дрейфовое поле в базе создается так же, как потенциальный барьер в р - п переходе за счет диффузионного перераспределения носителей. Это поле не зависит от приложенных к электродам напряжений и определяется только распределением концентрации в базовой области. [1]
БФ - дрейфовое поле, обусловленное распределением дырок под электродами; Dp пав - коэффициент диффузии дырок вблизи поверхности. [2]
В дрейфовом транзисторе скорость носителей увеличивается дрейфовым полем, и это приводит различным в численных значениях параметров двух типов транзисторов. Также меняется и концентрация свободных электронов, определяемая концентрацией примесей, поскольку свободные электроны создаются за счет ионизации атомов донорной примеси. В базе происходят диффузионное перераспределение свободных электронов и образование электрического поля. Этот процесс аналогичен созданию запорного слоя при возникновении р - п перехода. [3]
Аномалии 1-го типа связывают с недоформовкой коллектора при слабом дрейфовом поле ( см. сплошную кривую на-фиг. Так как это поле зависит от относительной концентрации электронов в р-слое, то возможны случаи, когда даже при интенсивной формовке мощными импульсами коллектор окажется недоформованным. [4]
Уравнение (11.91) показывает, что предельная частота у транзисторов с дрейфовым полем в области базы выше в ( w0jg) раза, чем у чисто диффузионных транзисторов. [5]
Эф - эффективное время жизни в активной области базы без учета влияния дрейфового поля Е, созданного неравновесным распределением примеси в активной области базы дрейфовых транзисторов, По сущест-ву, для данной модели расчета значение тр должно совпадать с величиной тан. [6]
На рис. 5.10 приведена зависимость коэффициента усиления ультразвука в кристалле CdS от величины дрейфового поля, полученная расчетным путем. [8]
Контакты, наносимые на кристалл, должны удовлетворять след, требованиям: I) быть омическими с тем, чтобы дрейфовое поле было однородным по образцу и не создавалось запорных слоев, и 2) иметь минимальное акустич. [10]
В качестве отправной точки используем ур-ние (3.33), которое справедливо и в том случае, когда движение носителей объясняется наличием и дрейфового поля и диффузии. [11]
Для этого в первую очередь нужно рассчитать к. Дрейфовое поле в теле коллектора следует за установлением градиента напряжения в области коллектора при изменении во времени потока дырок. Ток, являющийся результатом такого потока дырок, вызывает переменное поле в теле коллектора. Это поле, в свою очередь, модулирует поток электронов в теле коллектора. Этот эффект часто определяют как модуляцию проводимости. [12]
Дрейфовое поле существенно увеличивает скорость движения дырок в базе, а следовательно, уменьшает время прохождения дырками базовой области и улучшает частотные свойства транзистора. Дрейфовое поле в базе создается так же, как потенциальный барьер в р - п переходе за счет диффузионного перераспределения носителей. Это поле не зависит от приложенных к электродам напряжений и определяется только распределением концентрации в базовой области. [13]
Увеличение скорости движения носителей через базу в первую очередь уменьшает пролетное время. Влияние дрейфового поля проявляется и в выравнивании скоростей носителей. Разброс в скоростях в этом случае оказывается не так высок, как в случае чисто диффузионного движения, где все определяется только тепловыми скоростями. В результате падение коэффициента переноса р до уровня 0 707 должно произойти на частоте, существенно превышающей частоту шв бездрейфового триода с той же толщиной базы. [14]
Таким образом, чтобы дрейфовое поле определяло потери, нужно, чтобы тактовое время t t0 ( е 1 - 1) было порядка 1 мксек. Дрейфовый сток под соседний электрод происходит до тех пор, пока ( лП5еАА7р / Сд D, а затем определяющей в переносе становится диффузия. [15]
Страницы: 1 2