Отклоняющее поле

Cтраница 2

Фокусировка электронов с помощью отклоняющего поля, либо лагнитного ( под углом 180), либо электростатического ( под углом [ 27), позволяет получить значительно лучшее разрешение по энер-чш и записать спектр почти идеальной формы с симметричными пиками, так как в этом случае рассеяние электронов сводится к ми-гимуму и можно использовать для анализа только те электроны, шторые движутся параллельно направлению электрического век-гора. Однако такой метод уступает описанному выше по чувствительности. Оба типа спектрометров были изготовлены и испытаны з лаборатории автора этой статьи. В настоящее время изготавли-зается несколько больший по размерам электростатический ( под утлом 127) анализатор скорости электронов с регулируемыми щелями. [16]

В зависимости от вида отклоняющего поля различают спектрометры с чисто электростатическим, магнитным и комбинированным ( электростатическим и магнитным) отклонением. В электростатических отклоняющих системах отклонение г / п в соответствии с уравнениями ( 152), ( 153) и ( 154) зависит только от энергии ( скорости) частиц и не зависит от их массы. При этом более быстрые частицы будут отклоняться меньше, чем медленные. [17]

Для отклонения пучка медленных электронов отклоняющее поле накладывается на комбинирО ванное поле системы переноса изображения. [18]

Основная схема транзисторного выходного каскада строчной развертки.| Идеализированная ( АБ и реальная ( АБ характеристики запирания выходного транзистора. [19]

Оно определяет способность транзистора создать нужное отклоняющее поле. [20]

Следовательно, при постоянном значении отклоняющего поля электрон движется равноускоренно в направлении оси Y, & его траектория является параболой. [21]

Симметричная отклоняющая система с короткими параллельными отклоняющими пластинами. [22]

Главная плоскость лежит в середине отклоняющего поля. [23]

С другой стороны, для данного отклоняющего поля величина IVVL j при изменении п остается постоянной. Следовательно, падение напряжения на омическом сопротивлении в данном отклоняющем устройстве пропорционально величине / La. Это дает критическое условие для отклоняющих устройств с низким пол1ны1м сопротивлением. [24]

Возникновение астигматизма электростатической отклоняющей системы. [25]

Таким образом, даже небольшая бочкообразность отклоняющего поля при больших углах отклонения может вызвать заметное искажение растра. В то же время небольшая подушкообразность отклоняющего магнитного поля может оказаться полезной, так как в этом случае, как было показано выше, достигается компенсация искажений формы растра, наблюдаемых при использовании строго однородного отклоняющего поля. [26]

Различают статическую чувствительность - чувствительность при постоянном отклоняющем поле и динамическую - при переменном. Динамическая чувствительность падает с ростом частоты исследуемого сигнала. [27]

Какие траектории описывают электроны пучка в однородном магнитном отклоняющем поле. Какие аберрации возникают при этом. [28]

В общем случае электрон может влетать в отклоняющее поле в любой фазе отклоняющего напряжения. [29]

Конструкции отклоняющих катушек. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5