Внутреннее поле

Cтраница 4

Вопрос о внутреннем поле является одним из наиболее трудных в теории жидкостей и других конденсированных сред и не может здесь обсуждаться подробно. [46]

В этом случае внутреннее поле зависит от распределения примесей в объеме. [47]

Поверхностные заряды и внутреннее поле Е появляются также у диэлектрика, помещенного между обкладками заряженного плос-кого конденсатора. На этом примере удобно показать, что введение диэлектрика в поле может изменить взаимное расположение зарядов, создающих это поле. [48]

Поверхностные заряды и внутреннее поле Е появляются также у диэлектрика, помещенного между обкладками заряженного плоского конденсатора. На этом примере удобно показать, что введение диэлектрика в поле может изменить взаимное расположение зарядов, создающих это поле. При отсутствии диэлектрика ( или когда диэлектрик занимает все поле; рис. III. [49]

Такое напряжение характеризует внутреннее поле, что согласуется с теоретическими расчетами для кремния, имеющего удельное сопротивление 0 6 ом см. Напряжение лавинного пробоя у такого перехода составляет 21 5 в, что показано на фиг. [50]

Кроме того, внутреннее поле, приложенное к зерну, оказывается зависимым от концентрации люминофора в связующем. [51]

В диффузионных транзисторах электрическое внутреннее поле в базе отсутствует и поступившие из эмиттера дырки диффундируют из области с более высокой их концентрацией в область с меньшей концентрацией. [52]

Частные циклы пере-мапшчивания. [53]

При Н Нс внутреннее поле намагниченности сердечника и поле токов обмотки взаимно гасятся, индукция результирующего поля при этом равна нулю. [54]

Под действием этого внутреннего поля ионы взаимно расталкиваются, что формально можно трактовать как некоторое увеличение турбулентного коэффициента диффузии. [55]

Кривые разрядного тока, возникающего при нагреве с градиентом 31 град / мм у-об-лученных дозой 3 3 - 104р стекол. [56]

При достаточной величине внутреннего поля в стекле может произойти электрический пробой. Пробой обычно сопровождается возникновением фигуры разряда ( фигуры Лихтенберга) и растрескиванием стекла. В стеклах, содержащих Се02, разрядный ток сильнее, а фигуры разряда выражены отчетливее. Однако введение более 8 % Sb2O3 в натрий-боросиликатное стекло увеличивает склонность к растрескиванию. [57]

Апертура занимает часть внутреннего поля карты; другая часть используется для записи текста или кодового поля. [58]

Страницы: 1 2 3 4