Тщательная полировка - поверхность - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Экспериментальный кролик может позволить себе практически все. Законы Мерфи (еще...)

Тщательная полировка - поверхность

Cтраница 1


Тщательная полировка поверхностей также приводит к росту фактической площади контакта и к развитию молекулярного притяжения хотя и в меньшей степени, чем увеличение нагрузки.  [1]

Тщательная полировка поверхностей также приводит к росту фактической площади контакта и к развитию молекулярного притяжения хотя и в меньшей степени, чем увеличение нагрузки. Поэтому в случае граничного или полусухого режима полировка поверхностей приводит к возрастанию трения.  [2]

Герметичность достигается строгой плоскостностью обоймы и стекол и тщательной полировкой поверхностей. Нижняя часть обоймы имеет остроугольные выступы, на которые кладется пластинка стали.  [3]

Плунжеры изготовляют из нержавеющей стали марки Х18Н9 с тщательной полировкой поверхности.  [4]

Уменьшение погрешностей при определении твердости по Роквеллу достигается тщательной полировкой поверхности рабочей части алмазного конуса и точным соблюдением его размеров. Необходимо следить, чтобы поверхность образца также была ровной и чисто отшлифованной, причем его толщина должна быть не менее десятикратной глубины отпечатка, а расстояние МбЖДу ЦШТрЗМИ отпечатков или от края образца не менее 2 5 - н 3 мм для алмазного конуса и не менее 4 мм для стального шарика.  [5]

Уменьшение погрешностей при определении твердости по Роквеллу достигается тщательной полировкой поверхности рабочей части алмазного конуса и точным соблюдением его размеров. Необходимо следить, чтобы поверхность образца также была ровной и чисто отшлифованной, причем его толщина должна быть не менее десятикратной глубины отпечатка, а расстояние между центрами отпечатков или от края образца не менее 2 5 - 5 - 3 мм для алмазного конуса и не менее 4 мм для стального шарика.  [6]

В однородном электрическом поле Enf газа возрастает пропорционально давлению, но в реальном конденсаторе, даже при тщательной полировке поверхности обкладок и тщательном закруглении их краев, поле не является вполне однородным. Для азота при таком давлении допускаемое амплитудное значение напряженности доходит до 8 - 10 кв / мм, что соответствует действующему значению 5 5 - 7 кв / мм.  [7]

Усиление умножителя при ионной бомбардировке будет зависеть от массы, заряда, энергии, химической природы, физических размеров бомбардирующих частиц, угла, под которым падающие частицы ударяют о поверхность, химического состава и физического состояния поверхности. Тщательная полировка поверхности также способствует улучшению вторичной эмиссии. Плох и Уол-чер [1608] установили, что число вторичных электронов, образуемое ионами различных изотопов, зависит только от скорости ионов. Поэтому для изотопных ионов, обладающих одинаковой энергией, число образующихся вторичных электронов обратно пропорционально корню квадратному из массы ионов.  [8]

Применяя газ при повышенном давлении, можно значительно повысить электрическую прочность конденсатора с газообразным диэлектриком ( рис. 76) и при высоком рабочем напряжении резко снизить удельный объем. В однородном электрическом поле Епу газа возрастает пропорционально давлению, но в реальном конденсаторе, даже при тщательной полировке поверхности обкладок и закруглении их краев, поле не является вполне однородным.  [9]

10 Угловаи зависимость резонансного поля для кубического монокристалла с первой константой анизотропии К 0. 9-угол между внешним постоянным магнитным полем и осью ( 100 в плоскости 1101, Точки - эксперимент для сферы из Y з Fe ч О j 2 на частоте 9 3 Гц при комнатной температуре. линия - расчет при А ] Л /.. Яе.| Элементарные процессы, лежащие в основе процессов релаксации при ферромагнитном резонансе. а-трехмагнонны процессов слияния. б-трехмагнонных процессов расщепления. в - че-гырсхмагноыных процессов рассеяния. г - двухмшнониых процессов ( в неидеальном кристалле. k i-волновой вектор магнонов, релаксация которых рассматривается. [10]

Неоднородностями могут являться: химические неоднородности-флуктуации распределения ионов по узлам кристалла; упоминавшиеся выше вариации направлений кристаллографич. Последний вид неоднородностей играет большую роль в случае образцов из совершенных монокристаллов; получение упоминавшихся выше малых значений ДЯ требует тщательной полировки поверхности образцов.  [11]

Подвижные рамки регистраторов выполняются как каркасными, так и бескаркасными. На верхней и нижней сторонах рамки крепятся полуоси, с помощью которых подвижная рамка устанавливается в опорах неподвижной обоймы. В качестве нижней опоры ( рис. 20 а) подвижной части служит стальной закаленный керн, рабочий конец которого с радиусом закругления 0 06 - 0 1 мм имеет сферическую форму. Керн опирается на подпятник с конусным углублением, выполненный из синтетического агата. Тщательная полировка поверхностей трения керна и подпятника способствует снижению момента трения в деталях нижней опоры до пренебрежимо малого значения. Нижний подпятник установлен в резьбовой втулке через промежуточную винтовую пружину. Такая конструкция снижает вероятность повреждения деталей опоры во время транспортировки прибора.  [12]

Проявление масштабного фактора тесно связано с влиянием состояния поверхности. В частности, длительное травление стекла плавиковой кислотой, удаляющее наружный слой и создающее идеально ровную поверхность, приводит к резкому снижению вероятности существования на поверхности опасных дефектов, и согласно статистической теории дефектов должно наблюдаться повышение прочности массивных образцов до прочности тонких стеклянных волокон. Эксперимент полностью подтверждает это предположение. Наличие небольших выступов и впадин на плохо обработанной поверхности приводит к повышению концентрации напряжений. Поверхностные неровности могут играть роль хрупких трещин и значительно снижать определяемые испытаниями прочностные характеристики металла. Тщательная полировка поверхности металлических образцов приводит к увеличению измеряемых при растяжении характеристик прочности и пластичности.  [13]



Страницы:      1