Политипизм

Cтраница 1

Политипизм характерен для некоторых плотноупакованных и слоистых структур. Классическим примером соединения, обладающего политипизмом, является карборунд a - SiC. Элементарная ячейка a - SiC имеет параметры: aft 0 3078 нм и с0 2518я нм, где п - число слоев в гексагональной ячейке политипа в направлении оси с, которое может изменяться от 2 до 500 и более. Самую большую элементарную ячейку имеет политип a - SiC, в котором повторение слоев наблюдается через 594 слоя, а наиболее известным является шестислойный политип. [1]

Политипизм приближается к фазовым переходам второго рода. [2]

Три возможные позиции ( А, В и С слоев в плотнейшей упаковке атомов. [3]

Явление политипизма представляет собой способность твердых тел кристаллизоваться в более чем одну структурную модификацию, которые имеют одинаковый химический состав и отличаются числом и характером укладки слоев вдоль одной из осей кристаллической ячейки. Слои могут иметь сложный состав, но все они являются идентичными. Вследствие структурной идентичности слоев политипы кристаллов имеют одни и те же параметры ячейки в перпендикулярном направлении. Размер ячейки вдоль нормали к слоям, или высота ячейки, в одном и том же веществе может варьироваться в значительных пределах от долей до нескольких сотен нанометров. При этом вследствие идентичности элементарных слоев высота ячейки равна произведению высоты элементарного, слоя на их число в ячейке. Более тщательные исследования последних лет показывают, что элементарные слои в разных политипных структурах одного и того же вещества не совсем идентичны, их состав и параметры кристаллической решетки от политипа к политипу могут различаться. [4]

Источниками столь сложного политипизма в карбиде кремния являются своеобразный дислокационный механизм ( через винтовые дислокации) роста монокристаллов карбида кремния и некоторые определенные термодинамические предпосылки. Все серии политипов карбида кремния могут быть выведены из основных фаз этого соединения с помощью винтовых дислокаций. [5]

Политипия ( или политипизм) - явление, характерное для некоторых плотно упакованных и слоистых структур. Политипы - это структуры, построенные из одних и тех же слоев с разной последовательностью их чередования. Параметры решетки у политипов в плоскости слоя неизменны, а в направлении, перпендикулярном слоям, различны, но всегда кратны расстоянию между ближайшими слоями. Различие политипов проявляется и в некоторых их свойствах, особенно в оптических. [6]

Карбид кремния является примером политипизма при кристаллизации; все политипы ( например, a - SiC) имеют ось а, равную 0 3073 нм, а ось с имеет различные значения для каждого политипа. В табл. ХХ-2 приведены параметры элементарной ячейки карбида кремния для различных политипов. [7]

Какую роль играет явление политипизма в применении карбида кремния. [8]

По некоторым данным, на образование политипизма оказывают влияние температура и скорость кристаллизации, наличие примесей, механические воздействия на кристалл. [9]

Нарушения структуры, несомненно, обусловливают не только политипизм a - SiC, но и некоторое колебание его технических свойств. Поэтому они заслуживают дальнейшего изучения. Изложенные выше представления о причинах политипизма карборунда были рассмотрены Франком [183], который показал образование нарушений ( дислокаций) в решетке карборунда при росте кристаллов. [10]

В целом же их тонкая кристаллическая структура, вследствие широкого развития политипизма, характеризуется большим разнообразием. Теоретически и экспериментально установлена возможность образования в С. В пределах одного кристалла нередко наблюдаются сростки простых по-литипных модификаций. [11]

Полиморфизм некоторых глинистых минералов, а также некоторых других слоистых силикатов, например слюд, возникает часто как следствие различных способов укладки слоев в их структурах, что также может рассматриваться как один из случаев проявления политипизма. [12]

Особым случаем полиморфизма является так называемый поли-гипизм, заключающийся в том, что вещество может кристаллизоваться в нескольких модификациях, отличающихся типом упаковки атомов. Политипизм можно назвать условно полиморфизмом в одном направлении, поскольку политипные модификации имеют одинаковые параметры элементарной ячейки по двум кристаллографическим направлениям и разные ( но кратные одной и той же общей величине) по третьему направлению, что объясняется различием в способе упаковки атомных слоев в этом направлении. [13]

Полупроводниковые соединения A11. [14]

Все соединения типа AUBVI являются фазами переменного состава. Полиморфизм и политипизм, свойственные многим из них, приводят к сильной зависимости структурно чувствительных свойств от условий выращивания кристалла и термической обработки. [15]

Страницы: 1 2 3