Положение - линия
Cтраница 2
Положение линий с Am 2 легко можно определить. Для центрального электронного перехода они образуют дублеты с интервалом, в два раза превышающим интервал, даваемый выражением (3.76); эти дублеты расположены симметрично относительно всех основных сверхтонких линий, за исключением крайних. [16]
Положение линий в рентгенограмме зеленого сульфата фталоцианина [127] сходно с таковым для а-фталоцианина, однако интенсивности, особенно в области малых углов различны. [17]
Положение линий на рентгенограмме сложной решетки само по себе не дает еще указания на структурный тип кристалла. Это определяется только интенсивностью рефлексов. [18]
 |
Зависимость массового коэффициента ослабления от 1 / Х, для платины. [19] |
Положение линии / ( - края характерно для каждого элемента. Соответственно электронным оболочкам край поглощения называют / С -, Lr, Ln - или / ш-краем. [20]
Положение линий в таких спектрах подчиняется определенным закономерностям, к-рые наиб, просты для атомов с одним внеш. Промежутки между линиями одной серии убывают в сторону больших частот, т.е. линии сходятся к границе серии - максимальной для данной серии частоте, соответствующей ионизации атома. [21]
 |
Зависимость массового коэффициента ослабления от 1 / Я, для платины. [22] |
Положение линии / ( - края характерно для каждого элемента. Соответственно электронным оболочкам край поглощения называют / ( -, L -, Ln - или / ш-краем. [23]
Положение линий нужно указывать в герцах. [24]
 |
Схема диаграммы неразру-шимости. [25] |
Положение линий A BV Л Вг и других, параллельных им, может меняться в крайне широких пределах в зависимости от динамической вязкости металла. Чем меньше вязкость металла, тем ниже располагается горизонтальная линия, соответствующая наступлению нестабильного разрушения. Введение коэффициентов запаса позволяет для упрощения расчета считать линию А Вг горизонтальной. [26]
 |
Определение чпсла теоретических тарелок в досорбере. [27] |
Положение линии АВ при десорбции ( наклон ее) зависит от удельного расхода десорбирующого агента /; с увеличением последнего точка В перемещается вниз, линия АВ удаляется от кривой равновесия фаз, занимая положение А В, А В, а необходимое число тарелок сокращается. При уменьшении удельного расхода десорбирующего агента наблюдается обратная зависимость: минимальному расходу десорбирующто агента соответствует бесконечно большое число тарелок в десорборе, линия АВ становится касательной к кривой равновесия фаз. [28]
Положение линии ЯКР зависит от кристаллического окружения данного ядра, что не учитывалось в предыдущем разделе. Тем не менее на градиент поля в некоторой степени влияют атомы или ионы, находящиеся на более далеких расстояниях, и анализ вклада в градиент поля за счет этих факторов позволяет получить ценную структурную информацию. [29]
 |
К определению положения отображающей точки. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5