Положение - первое
Cтраница 1
Положение первого, наиболее интенсивного аморфного гало на рентгенограммах большинства некристаллических полимеров отвечает углам 6, которые соответствуют расстоянию d между рассеивающими центрами, равному 4 5 - 5 А, а второго, менее интенсивного - примерно 10 А. Наличие этих максимумов связано с тем, что макромолекулы или сегменты макромолекул упаковываются в определенном порядке, укладываясь почти параллельно друг другу. [1]
Положения первого из выслушанных докладов, обнимающие теоретическую сторону рассматриваемого вопроса, я разделяю вполне. Относительно же второго доклада должен оказать, что он не полон. Доклады должны быть в соответствии между собою. Воинова выдвигалась идея о необходимости организовать восстание. Максимова страдает отсутствием практических указаний для такой организации. В докладе делается много интересных замечаний о сопутствующих явлениях, но о самой организации восстания говорится очень мало, а это вопрос коренной. [2]
Положение первого и единств, социалистич. СССР опирался исключительно на собств. [3]
Допустим, что положение первого и второго электронов характеризуется соответственно радиус-векторами Л и Га ( при этом их начало совпадает с неподвижным ядром; см. фиг. [4]
Удобно также ввести функции, определяющие положение первого и последнего узлов дерева. Чтобы найти первый узел, просто следуйте за левыми указателями на дочерние узлы вниз от корня, пока не достигнете узла с нулевым указателем. [5]
Если введение СН3 - группы в - положение первого из перечисленных эфиров никак не отражается на ориентации присоединения, то замена метильной группы на CF3 во втором приводит к изменению направления нуклеофильной атаки. Таким образом, ориентация нуклеофильного присоединения в основном обусловлена электронными влияниями, а не стерическими. [6]
На рис. 9.10, б сопоставлены зависимости положения первого и второго максимумов амплитуды от глубины закаленного слоя, для / 2 5 и 5 0 МГц при zn - 20 мм. Положения первого максимума для обеих частот мало отличаются друг от друга, например для конкретного значения г 5 мм х1КМ1 изменяется на 14 мм, а положение второго максимума сильнее зависит от частоты: Хтахъ изменяется на 38 мм. Нов этом случае, по сравнению с описанным выше вариантом, верхний предел по 2Ь т, е, значение zb начиная с которого амплитудная характеристика имеет только один максимум, снижается и становится равным приблизительно 2Г1 - 6 мм. [7]
 |
Данные для расчета теплоотдачи по уравнению. [8] |
Расчет теплоотдачи в этом режиме базируется изданных о положении первого и второго кризисов кипения, которые либо находятся из эксперимента, либо определяются по рекомендациям, приведенным ниже. [9]
 |
Зависимость положения первого изображения от положения предмета при фиксированных значениях тока / в обмотке линзы. [10] |
На рис. 203 и 204 представлены результаты измерений зависимости положения первого и второго изображений от положения предмета при фиксированных значениях силы тока в обмотке линзы. [11]
 |
Радиальный адсорбер сероочистки. [12] |
Когда снизится степень очистки или прекратится поглощение серы в первом по ходу газа аппарате, его отключают. Второй аппарат ставят в положение первого и последовательно с ним включают аппарат со свежим поглотителем. [13]
 |
Схема и зависимости для определения параметров рефракции по. [14] |
Предложены два варианта реализации этого способа. Первый вариант основан на измерении положения первого д: шах1 и второго лг1Пах 2 максимумов принятых рефрагированных сигналов на заданной частоте излучения и последующего расчета 2Г и zlt из соответствующих уравнений. С учетом измеренных информативных параметров восстанавливается кривая твердости ( рис. 9 12) путем нахождения по предварительно рассчитанным таблицам параметров закаленного слоя. [15]
Страницы: 1 2 3