Закономерность - возрастание
Cтраница 2
 |
Вероятность заполнения энергетических уровней в равновесном состоянии ( кривая / и в неравновесном состоянии ( кривая 2, т. е. при освещении фоторезистора. [16] |
С ростом концентрации ре-комбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей, что и приводит к сублинейной зависимости световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности у фоторезисторов различные в зависимости от наличия разнообразных примесей и их концентрации. [17]
Посадки с натягом применяются в основном для передачи крутящего момента. Установим закономерность возрастания натяга с ростом диаметра, которая бы позволила при прочих равных условиях ( материал, толщина стенок, длина сопряжения, качество поверхностного слоя) сохранить при любом диаметре характер посадки. Очевидно, этот характер посадки будет сохранен, если при различных диаметрах посадка одинаково надежна в отношении действующих усилий. Рассмотрим два сопряжения, отличающиеся только диаметрами. [18]
Индексы 2 и 1 в этих уравнениях относятся соответственно к большему и меньшему аппаратам. Уравнение ( XI, 53) отражает закономерность возрастания эффективности ступени при моделировании, которая была подтверждена опытными данными. [19]
Предложенная автором в 1961 г. расчетная схема на выпучивание фундаментов базируется на физических основах деформаций и напряжений, возникающих в процессе промерзания и пучения грунта. Кроме того, учтены экспериментально установленные в полевых условиях закономерности возрастания удельных сил морозного пучения с увеличением толщины твердомерзлого слоя грунта ниже подошвы фундамента и уменьшение этих сил с ростом площади подошвы фундаментов. [20]
Начальное измерительное усилие берется таким, чтобы величину возникающей деформации можно было принять за нуль. Изменяя затем величину измерительного усилия путем смены грузов, можно установить закономерность возрастания деформации. [21]
Вследствие смещения демаркационных уровней часть уровней ловушек захвата становится уровнями рекомбинационных ловушек. С ростом концентрации рекомбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей заряда, что и является первой причиной сублинейности световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности различны у различных фоторезисторов и определяются концентрацией тех или иных примесей в полупроводнике и распределением примесных уровней по запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника. [22]
 |
Зависимость фотопроводимости полупр-тод-ников от интенсивности облучения. [23] |
При энергии квантов, обеспечивающей появление фотопроводимости, значение ее возрастает с увеличением интенсивности облучения, так как одновременно происходят два процесса с противоположным влиянием на фотопроводимость: с одной стороны, увеличивается число носителей, а с другой - возрастает рекомбинация с увеличением концентрации носителей как одного, так и другого знака. Закономерности возрастания сгото-проводимости с изменением интенсивности облучения у рмных полупроводников различные. [24]
 |
Зависимость фотопроводимости полупроводников от интенсивности облучения. [25] |
При энергии квантов, обеспечивающей появление фотопроводимости, значение ее возрастает с увеличением интенсивности облучения, так как одновременно происходят два процесса с противоположным влиянием на фотопроводимость: с одной стороны, увеличивается число носителей, а с другой - возрастает рекомбинация с увеличением концентрации носителей как одного, так и другого знака. Закономерности возрастания фотопроводимости с изменением интенсивности облучения у разных полупроводников различные. [26]
 |
Световая характеристика фоторезистора. [27] |
Вследствие смещения демаркационных уровней часть уровней ловушек захвата становится уровнями рекомбинационных ловушек. С ростом концентрации рекомбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей заряда, что и является первой причиной сублинейности световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности различны у различных фоторезисторов и определяются концентрацией тех или иных примесей в полупроводнике и распределением примесных уровней по запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника. [28]
В результате многочисленных экспериментов Тенди11 установил, что в интервале 440 - 600 С и выше получается смесь, состоящая из соединений ванадия, растворенных в жидком щелочном пиросульфате. Точка плавления образовавшейся смеси понижается с увеличением атомного номера щелочного металла; степень восстановления V2O5 в V2O4 уменьшается в присутствии щелочных металлов большего атомного номера. Однако выведенная при этом закономерность возрастания про-мотирующего действия щелочных металлов по мере увеличения их атомного номера находится в некотором противоречии с данными, полученными в опытах с цезием, так как в присутствии сульфата рубидия степень восстановления пятиокиси ванадия значительно меньше, чем в присутствии сульфата цезия. [29]
 |
Энергетические уровни экситона, образовавшегося в результате поглощения фотона с энергией, не достаточной для возбуждения пары электрон-дырка. [30] |
Страницы: 1 2 3