Положение - рабочая точка - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Когда к тебе обращаются с просьбой "Скажи мне, только честно...", с ужасом понимаешь, что сейчас, скорее всего, тебе придется много врать. Законы Мерфи (еще...)

Положение - рабочая точка - транзистор

Cтраница 1


Положение рабочей точки транзистора в отсутствие входного сигнала ( точки покоя) определяется в каждом конкретном случае по-разному. Если необходимо усиливать сигнал, который изменяется как в положительную, так и отрицательную сторону, целесообразно выбрать точку покоя посередине активной области ( точка Л), тогда возможно изменение выходного напряжения примерно от режима отсечки до режима насыщения. В реальных транзисторах искажения возникают при меньших амплитудах, что связано с неравномерностью расположения кривых на семействе ВАХ, но сейчас мы будем этим пренебрегать.  [1]

Положение рабочей точки транзистора определяется цепями смещения. При изменении температуры окружающей среды от 20 до 80 С ток / kQ большинства германиевых транзисторов увеличивается примерно в 30 - 100 раз.  [2]

Температурная нестабильность положения рабочих точек транзисторов Г7 - Tw не вызывает дрейфа выходного напряжения усилителя, так как из-за наличия разделительного конденсатора С5 транзисторы не связаны гальванически с выходными зажимами решающего усилителя.  [3]

Наиболее общим методом АРУ является управление положением рабочей точки транзистора. Усиление можно уменьшить, понижая эмит-терный ток или эмиттерное напряжение; последнее находит меньшее применение, однако при уменьшении усиления необходимо очень низкое коллекторное напряжение, в результате повышается коллекторная емкость и понижается частота отсечки. При изменении смещения рабочей точки входное и выходное полные сопротивления существенно изменяются; в то же время усиление по мощности при условии согласования по входу и выходу остается неизменным. Поэтому управление усилением достигается прежде всего за счет рассогласования. Каскады АРУ должны рассчитываться на оптимальную чувствительность для условия минимального сигнала АРУ, когда требуется максимальное усиление.  [4]

5 Схема двухкаскадного дифференциального усилителя. [5]

Температурные изменения тока коллектора транзистора Гэ не влияют на положение рабочих точек транзисторов TI и Т2 благодаря стабилизации с помощью транзистора Ts. Изменение уровня Входного сигнала не оказывает влияния на регулировку компенсации, поскольку каскад на транзисторе Гд при фиксированной температуре является источником тока.  [6]

При разработке широкополосных импульсных усилителей, особенно мало-шумящих, необходимо оптимальным образом выбирать положение рабочей точки транзистора с учетом обеспечения минимума шумов и максимума коэффициента усиления.  [7]

8 Схема эмиттерной температурной стабилизации. [8]

Делитель i - R2 служит для подачи на базу постоянного напряжения, обеспечивающего выбранное положение рабочей точки транзистора.  [9]

К элементам, предназначенным для создания режима каскада по постоянному току, относятся: делитель R, R2, определяющий напряжение смещения транзистора, и цепочка R3Ca, стабилизирующая положение рабочей точки транзистора.  [10]

Чтобы уменьшить зависимость коэффициента усиления от изменения напряжения источника питания, на базу транзистора с его коллектора через сопротивление R2t подается напряжение отрицательной обратной связи. Изменением величины этого сопротивления при регулировке усилителя выбирается положение рабочей точки транзистора. Применение отрицательной обратной связи по току способствует повышению температурной стабильности.  [11]

12 Методы задания рабочей точки. [12]

Большая стабильность режима достигается при использовании отрицательной обратной связи. В схеме, изображенной на рис. 4, б, сопротивление, задающее ток в базовой цепи, связано с коллекторной нагрузкой, что стабилизирует положение рабочей точки транзистора.  [13]

Принцип их работы рассмотрим на примере однокаскадного транзисторного усилителя, схема которого приведена на рис. 53, а. Схема каскада состоит из транзистора Т, входного и выходного конденсаторов С1 и С2, резисторов Rl, R2, R3, обеспечивающих температурную стабилизацию положения рабочей точки транзистора, сопротивления коллекторной нагрузки RK и конденсатора СЗ, закорачивающего переменную составляющую тока в эмиттерной цепи. Входной управляющий сигнал подается через конденсатор С1 в базовую цепь усилительного каскада.  [14]

Активная нагрузка резонансного контура увеличивает полосу пропускания и одновременно снижает возможность самовозбуждения. Это достигается ценой уменьшения усиления, при этом исключается необходимость нейтрализации. Кроме того, активная нагрузка уменьшает изменения полосы пропускания, связанные с изменениями температуры и положения рабочей точки транзистора.  [15]



Страницы:      1    2