Положение - уровень - химический потенциал
Cтраница 1
Положение уровня химического потенциала в этом случае также не меняется о - температурой. [1]
Положение уровня химического потенциала зависит, помимо всего прочего, от общего числа атомов N, адсорбированных на единице поверхности. Таким образом, относительное содержание различных форм адсорбции зависит от степени заполнения поверхности. [2]
Положение уровня химического потенциала зависит также от природы и концентрации примесей, содержащихся внутри кристалла. При увеличении содержания акцепторной примеси уровень е сдвигается вниз, донорная примесь действует противоположным образом. Таким образом, относительное содержание различных форм адсорбции зависит от природы и количества примесей, введенных внутрь кристалла. Таким путем свойства объема отражаются на свойствах поверхности. [3]
 |
Зависимость концентрации носителей от обратной температуры. [4] |
Таким образом, положение уровня химического потенциала зависит от температуры и эффективных масс электронов и дырок. [5]
Как известно из курса физики, положение уровня химического потенциала ( уровня Ферми) в состоянии равновесия должно быть постоянным для любой области единой системы. Очевидно, что и в рассматриваемой системе положение уровня Ферми одинаково для п и р-областей. Величина этого изгиба равна ефл, Изменение концентрации основных носителей показано на рис. 1.11, в. На рис. 1.11, г изображена плотность объемного заряда в обеих областях полупроводника. [6]
Так как изменение температуры приводит к перемещению положения уровня химического потенциала, то в рассматриваемом случае произойдет следующее. [7]
Таким образом, не обнаружено симбатности между положением уровня химического потенциала и удельной каталитической активностью: последняя снижается под влиянием добавок как галлия, так и сурьмы. [8]
Шокли и Ридом, показывает, что максимальное значение U соответствует такому положению уровня химического потенциала Ei для собственного полупроводника, при котором он приблизительно одинаково удален от квазиуровней Ферми для электронов и дырок. Скорость рекомбинации резко снижается, если Ei существенно отличается от значения ( Ерп EFp) / 2, и поэтому при прямом смещении интенсивная рекомбинация носителей заряда происходит в пределах ограниченной области обедненного слоя. [9]
Согласно современным представлениям, активность твердых катализаторов зависит от их электронной структуры и, в частности, от положения уровня химического потенциала [1], [2] ( см. также стр. В связи с этим представляет интерес проверить влияние легирующих добавок на каталитическую активность германия, меняющих тип и величину его проводимости, в отношении вышеуказанной реакции. [10]
При повышении температуры происходит качественное изменение во взаимодействии адсорбированных молекул с поверхностью полупроводника и между собой, что приводит к изменению положения уровня химического потенциала, а следовательно, к резкому изменению заполнения поверхностных уровней и работы выхода. [11]
Возможно, что это изменение связано с кристаллизацией стекол. Положение уровня химического потенциала в стеклах определяется их химическим составом. Для стекла состава AsGeo iTe положение уровня химического потенциала в первом приближении не зависит от температуры. При расчете было использовано значение A. [12]
Мы уже указывали, что в состоянии равновесия уровень химического потенциала во всех частях системы проходит на одной высоте. Поэтому положение уровня химического потенциала не изменяется и изображается по-прежнему прямой линией. Следовательно, расстояние от дпа зоны проводимости до уровня химического потенциала теперь уже неодинаково в разных точках и равно ц р ( х), где ц - расстояние от дпа зоны до уровня химического потенциала в глубине полупроводника. [13]
 |
Положение уровня химического потенциала при Г0 К. [14] |
Изобразим графически энергетический спектр валентных электронов полупроводника. Оказывается, что положение уровня химического потенциала при абсолютном нуле температуры зависит от рода полупроводника, содержания в нем примесей и температуры. [15]
Страницы: 1 2