Cтраница 1
Положение уровней энергии определяется в этом случае суммой колебательных квантовых чисел вырожденных нормальных осцилляторов, а собственные ф-ции являются линейными комбинациями их собственных ф-ций. [1]
![]() |
Параметры зоны проводимости в жидком и твердом криптоне, полученные из исследования примесных состояний молекулы СН31. [2] |
Положение уровней энергии поверхностных экситонных состояний относительно экситонной зоны кристалла определяется величиной локального энергетического сдвига) D и резонансными энергиями передачи возбуждения У, которые различны для молекул вблизи поверхности и в глубине кристалла. [3]
На опыте положение уровней энергии атома определяется по наблюдению спектральных линий. Так как линия излучения имеет конечную ширину, то частота излучения ( о и, следовательно, энергия возбужденного состояния атома не имеют строго определенного значения. [4]
На опыте положение уровней энергии атома определяется по наблюдению спектральных линий. Так как линия излучения имеет конечную ширину, то частота излучения ш и, следовательно, энергия возбужденного состояния атома не имеют строго определенного значения. [5]
На рис. 8 приведено положение уровней энергии син-глетного и триплетного состояний дат - типа ( гаг - уров-ней), характерное для функциональных групп СХ. [6]
Из этих зависимостей обычно определяют положение уровней энергии захватывающих центров. Однако, для того чтобы прийти к достоверным выводам о положении каких-либо локализованных уровней в диэлектрике, необходимо измерять температурные зависимости обоих токов - и омического, и ограниченного пространственным зарядом. [7]
Однако такие характеристики, как относит, положение уровней энергии, закономерности в изменениях св-в передаются сравнительно точно. Лучшие расчеты малых молекул по точности оценок молекулярных постоянных превосходят подчас уровень зксперим. [8]
Рассмотрим сначала те факторы, которые определяют положение уровней энергии, принимаемых системой молекула-твердое тело. [9]
Однако такие характеристики, как относит, положение уровней энергии, закономерности в изменениях св-в передаются сравнительно точно. Лучшие расчеты малых молекул по точности оценок молекулярных постоянных превосходят подчас уровень эксперим. [10]
![]() |
Инверсия относительного положения уровней энергии 5ЯЛ. - и Гля. состояний хинолина при замене неполярного растворителя полярным. [11] |
Здесь и в последующих аналогичных диаграммах сплошной черточкой обозначено положение уровней энергии, величина которых определена экспериментально, пунктирной черточкой - положение уровней с косвенно и, соответственно, приближенно оцененной энергией. [12]
![]() |
Относительные положения электронных энергетических уровней ионов марганца и железа в а - и 6-положениях в шпинели. [13] |
В этом случае удобно ввести другой ряд, отвечающий положению уровней энергии электронов так, как это используется в физике полупроводников. [14]
В случае ядерного квадрупольного резонанса в отсутствие внешнего магнитного поля положение уровней энергии EQ определено электрическим взаимодействием. Под действием магнитной составляющей РЧ поля и при условии, что выполняется условие резонанса h CO A EQ, индуцируются магнитные дипольные переходы, аналогичные наблюдаемым в спектрах ЯМР. Ядерный квадрупольный резонанс, как правило, не дает никакой новой информации при исследовании биомолекул, поэтому нас больше интересует дополнительное влияние ядерного квадрупольного взаимодействия е Qq на спектр ЯМР. [15]