Разомкнутое положение - ключ
Cтраница 1
Разомкнутое положение ключа Кл характеризует режим отсутствия насыщения НТТ. Граница насыщения будет достигнута в тот момент, когда среднее напряжение на ключе ЕАО. При этом ток намагничивания либо отсутствует ( ПХН или СХН), либо его амплитуда соответствует колену кривой намагничивания. [1]
Нижняя кривая соответствует разомкнутому положению ключа в цепи эмиттера и показывает зависимость обратного тока коллектора от напряжения на коллекторном переходе. [2]
Ключевой элемент может находиться в двух положениях: в разомкнутом и замкнутом. Разомкнутому положению ключа обычно соответствует закрытое состояние транзистора или диода, а замкнутому - открытое, проводящее состояние. Под воздействием управляющего сигнала цепь нагрузки либо подключается к источнику энергии, либо отключается от него в течение определенных промежутков времени. [3]
 |
Схема ( а и передаточная.| Схема ( а и передаточная характеристика ( й параллельного диодного ключа с ненулевым уровнем включения.| Схема ( а и передаточная. [4] |
Замкнутому положению ключа соответствует наличие на входе сигнала положительной полярности, при этом ивых-0. Разомкнутому положению ключа соответствует наличие на входе сигнала отрицательной полярности, при этом UBm - иъх. [5]
 |
Упрощенная схема камертонного частотомера. [6] |
Поэтому ключ К замыкается только при прохождении полуволн одной полярности. При разомкнутом положении ключа К ток заряда конденсатора С от батареи Е проходит через одну рамку магнитоэлектрического логометра, включенную в диагональ мостовой выпрямительной схемы. Через эту же рамку и в том же направлении проходит и разрядный ток конденсатора, когда ключ К замкнут. При разомкнутом состоянии ключа К конденсатор С всегда заряжается до напряжения источника питания Е, а при замкнутом состоянии ключа разряжается до нуля. Поэтому при включении второй рамки логометра на постоянное напряжение показания логометра пропорциональны среднему току, прошедшему через рамку, включенную в диагональ выпрямительного моста, и, следовательно, частоте биений. Шкала прибора градуируется в значениях измеряемой частоты. [7]
 |
Примерный вид статических характеристик транзисторов в схеме с общим эмиттером. а-входные. 6-выходные ( U и С / g - напряжение на коллекторе и базе. / и / - - ток коллектора и базы. [8] |
В области отсечки оба перехода находятся под обратным напряжением и через них текут обратные токи от долей до единиц мка. Режим отсечки соответствует разомкнутому положению эквивалентного ключа при работе транзистора в схемах переключения. Активная область характерна прямым смещением эмит-терного и обратным - коллекторного переходов, что соответствует протеканию через транзистор хорошо управляемого тока значит, величины. [9]
 |
Примерный вид статических характеристик транзисторов в схеме с общим эмиттером. а - входные. б - выходные ( U и t / g - напряжение. [10] |
В области отсечки оба перехода находятся под обратным напряжением и через них текут обратные токи от долей до-единиц мка. Режим отсечки соответствует разомкнутому положению эквивалентного ключа при работе транзистора в схемах переключения. Активная область характерна прямым смещением эмнт-терного и обратным - коллекторного переходов, что соответствует протеканию через транзистор хорошо управляемого тока значит. [11]
СУ, что аналогично подаче на управляющий электрод тиристора сигнала управления, открывающего вентиль, включается реле Р, которое контактом Р % замкнет цепь нагрузки RH и через другой контакт Р самоблокируется. В дальнейшем замкнутое или разомкнутое положение ключа КУ не будет влиять на прохождение тока через вентиль и нагрузку н, так как через обмотку реле проходит ток и контакты его замкнуты. [12]
 |
Принцип работы транзистора. [13] |
Из рис. 21 видно, что к эмиттерному P - jV - переходу приложено прямое ( эмиттер-ное) напряжение L / э, а к коллекторному переходу - обратное ( коллекторное) напряжение UK. При разомкнутом положении ключа S / и замкнутом положении ключей 52 и S3 по цепи ( UK) - S2 - РтА2 - ( переход Б - К) - РтАЗ - S3 - - ( - t / к) пройдет незначительный обратный ток, вызванный направленным движением неосновных носителей тока - дырок из базы и электронов из коллектора. Из этого видно, что участки эмиттер - база и база - коллектор ведут себя как обычные полупроводниковые диоды. [14]
В большинстве случаев нагрузка синхронного детектора носит емкостный характер. Шунтируя нагрузку емкостью, обеспечивают фильтрацию выпрямленного тока и обеспечивают высокую помехозащищенность. Однако включение емкостной нагрузки приводит к появлению частотной и квадратурной погрешностей, возникающих из-за неравенства постоянных времени при замкнутом и разомкнутом положении ключа. В двухполупериодном детекторе с емкостной нагрузкой выходной ток не зависит от частоты, и при р я / 2 он равен нулю. Фазовая и частотная погрешности в этой схеме отсутствуют. С этой точки зрения двухполупериодные схемы также имеют преимущество. [15]
Страницы: 1