Полоса - рост
Cтраница 2
Она открывает собой целую полосу роста коммунизма в колониях. [16]
Зависимость Fx / 2 от состава может быть получена с помощью формулы (6.14) путем подстановки в нее величин Р8 и е для монодоменных кристаллов, приведенных в табл. 6.5. Проведенные расчеты показывают, что кристаллы, выращенные из расплавов, сильно отличающихся от стехиометрического, имеют низкие полуволновые напряжения. В таких кристаллах отсутствуют полосы роста, что указывает на приближение расплавов к конгруэнтному. [17]
Кристаллы такого состава не имеют полос роста. В табл. 6.7 приведены некоторые их характеристики. [18]
Точками на графике отмечено истинное положение фронта кристаллизации, сплошной линией - реальное изменение длины монокристалла, а тонкой линией - идеальное изменение длины монокристалла. Рядом с ординатой графика показано расположение групп полос роста ( заштрихованные области) и межполосных промежутков, выявленных методом химического травления. [19]
Рубины, полученные по методу Чохральского, пригодны для огранки, и их можно продавать, но выпускать их как драгоценные камни коммерчески невыгодно, так как они более дорогой продукт, чем рубины, выращенные плавлением в пламени, и к тому же явно отличаются от природных камней. Основным признаком кристаллов, полученных методом вытягивания из расплава, являются полосы роста, колебания интенсивности окраски, обусловленные нестабильностью конвекции расплава или неравномерностью вращения кристалла. Компанией Линде запатентовано производство звездных камней по методу Чохральского, но материал, который поступает в продажу, получен, вероятно, плавлением в пламени. [20]
В результате было установлено, что такие кристаллы имеют тенденцию расти четырехгранными, подвержены растрескиванию и имеют полосы роста. Последнее говорит о том, что компенсации нарушения стехиометрии кристаллов НБС перечисленными выше элементами не происходит. Плотность дислокаций, выявленная методом травления, оказалась много выше, чем в чистых кристаллах НБС, причем в кристаллах, легированных лантаном, картина распределения дислокаций имеет вид параллельных рядов ямок травления. [21]
А, - длина волны основного излучения в вакууме, РОСя и Рт - мощности основной и генерируемой гармоник, I - оптический путь в среде, R - фактор ослабления при угле фазового согласования, w - диаметр лазерного луча. Меньшая величина d i, полученная из некритического фазового согласования, объясняется тем, что при прохождении луча света через кристалл перпендикулярно направлению его роста сказывается небольшое различие в показателях преломления между регулярными полосами роста. Этот эффект сравним с потерями света, проходящего нормально дифракционной решетке. Небольшие вариации показателей преломления полос роста могут привести к некоторому несоответствию измеренных величин dsi и угла фазового согласования с истинными значениями. Вследствие этого большая из измеренных выше величин dsi должна быть нижним пределом действительного значения. [22]
Возможность присутствия включений второй фазы изучалась на примере сильно легированных мышьяком, сурьмой и алюминием монокристаллов кремния. Металлографический анализ кристаллов, легированных As, после травления в хромовом травителе [30] показал, что до концентраций носителей заряда ( 6 ч - 7) 1019 см 3 образцы имеют монокристаллическую структуру с характерным для выращенных по методу Чохральского слитков периодическим распределением примесей в объеме по полосам роста. При более высоких концентрациях в кристаллах появляется ячеистая субструктура, которая при / г 1 5 - 1020 см3 сменяется поликристаллической структурой. В кристаллах, легированных Sb, ячеистая субструктура наблюдается уже при м б - 1018 см 3, однако при дальнейшем увеличении концентрации область распространения ячеистой структуры мала и наблюдается резкий переход к поликристаллической структуре. [23]
 |
Тогшграммы монокристалла Si, полученные с помощью Сйнхротронного излучения. Толщина кристалла 0 35 мм, энергия электронов 7 2 ГэВ, ток в кольце 7 мА, время экспозиции. [24] |
Топограммы одного и того же кристалла 81, снятые по методу Ланга в Двух взаимно перпендикулярных направлениях. Отражение ( 220), излучение Си Jf t, время экспозиции каждой топограммы 5 ч: а - отражающая поверхность с индексами Миллера ( 110), тонкие вертикальные черные линии - дислокация, горизонтальные полосы - слоя с неоднородно распределенной примесью, возникшие вследствие колебаний концентрации примеси в расплаве за фронтом кристаллизации при выращивании кристалла ( полосы роста); б - отражающая поверхность с индексами Миллера ( 001), изображения тех же дислокаций, что и на рис. а, но ориентированных пдоль распространения пучка. [25]
 |
Периодическая неоднородность распределения примесей по полосам роста в продольном сечении сильно легированного монокристалла кремния. [26] |
Последние обнаружены также в кристаллах, выращенных без вращения. Периодическая неоднородность, связанная с вращением кристалла и тигля, обусловлена, по-видимому, периодическими колебаниями скорости роста из-за наличия в расплаве у границы раздела фаз асимметричного теплового поля. Более сложным эффектом являются мелкие полосы роста, наблюдаемые в кристаллах, полученных разными методами. С этой точки зрения большой интерес представляет работа [54], где возникновение автоколебаний фронта кристаллизации рассматривается с позиций отклонения от термодинамического равновесия на границе раздела фаз. [27]
Рекомендуется использовать многоступенчатый после-ростовой отжиг монокристаллов твердых растворов ниоба-та бария-стронция. На первом этапе диффузный отжиг проводится непосредственно в ростовой камере сразу пос ле отрыва кристалла от поверхности расплава без сниже ния температуры тигля с расплавом. Он позволяет снизить контрастность полос роста и тем самым повысить оптическую однородность кристалла. Она предотвращает выделение второй фазы в кристалле, если это явление имеет место. Последующий плавный отжиг до 150 С в течение 24 часов осуществляется путем медленного снижения мощности генератора по заданной программе, после чего установка выключается, а кристалл охлаждается до комнатной температуры в процессе инерционного остывания кристаллизационной системы. Обычно после такого многоступенчатого отжига большие кристаллы. [28]
В ряде работ [51, 55] появление периодических неодно-родностей связывают с наличием концентрационного переохлаждения в расплаве. Последнее при выращивании монокристаллов полупроводников, как мы видели выше, достигается лишь при высоких концентрациях легирующей примеси и приводит к нарушению устойчивости гладкого фронта кристаллизации. В то же время полосы роста обнаруживаются и в очень чистых монокристаллах. Тем не менее наблюдаемая в сильно легированных монокристаллах зависимость величины периодической неоднородности от природы легирующей примеси и, в первую очередь, от величины коэффициента распределения [49, 56] свидетельствует о том, что накопление примеси в диффузионном слое расплава у фронта кристаллизации может играть определенную роль в процессе образования полос роста. [29]
Линия солидуса ТКВБ в системе относительно пологая, и состав кристалла значительно изменяется с температурой. Вследствие этого кристаллы, выращенные из одного и того же расплава, могут значительно отличаться по составу. Однако негомогенность кристаллов не оказывает заметного влияния на эффективность генерации второй гармоники излучения ИАГ: Nd-лазера, потому что полосы роста располагаются перпендикулярно оси с, а луч лазера диаметром 0 1 мм распространяется параллельно оси а кристалла. [30]
Страницы: 1 2 3