Cтраница 3
Известно, что глубина проникновения рентгеновских лучей в кристалл тем больше, чем менее совершенным является его строение и чем меньшую роль в рассеянии лучей играет так называемая вторичная экстинкция, которая обусловлена дополнительным ослаблением интенсивности падающей на кристалл радиации благодаря ее отражению от вышележащих строго параллельных слоев атомов идеально совершенного кристалла. В использованном спектрографе клин непосредственно соприкасается с поверхностью кристалла. Поэтому роль входной щели прибора играет расстояние от поверхности кристалла до наиболее глубоко лежащего слоя, принимающего участие в отражении рентгеновских лучей. Это делает форму и, главное, ширину рефлекса на рефлексограмме очень чувствительными к степени совершенства различных участков отражающего кристалла. Систематически измеряя эти величины по мере перемещения клина вдоль поверхности кристалла, можно построить своеобразные топографические карты, характеризующие степень совершенства отдельных его участков. Так, было, например, обнаружено значительное расширение рефлексов, возникавших при отражении рентгеновских лучей от областей кристалла, расположенных между двумя блоками и образовавшихся в результате процесса иррационального двойникования. Это хорошо согласуется с представлениями Бриллиантова и Обреимова о том, что в пространственной решетке кристалла вдоль такой промежуточной полосы имеется набор всевозможных ориентации, промежуточных между ориентациями соседних блоков. [31]
Весьма интересно проследить, как именно протекает процесс подготовки структуры стекла к кристаллизации во внутренних слоях. Рассмотрим рис. 11.116. Верхняя кривая относится к поверхности образца, на которой образовалась первая кристаллическая дымка. Эта дымка состоит в основной своей части из бисиликата натрия, у которого самый интенсивный максимум отражения лежит у 9 60 - 9 65 либо у 9 80 мк. Последующие кривые относятся к слоям, лежащим на глубине d 0 5; 1 2; 1 8; 3 и 4 мм. Рентгенограмма, снятая со второго слоя ( d 1 2 мм), представляла собой рентгенограмму типичного стекла. Из сопоставления всех кривых видно, что в результате тепловой обработки полосы, которые в исходном стекле лежали у 9 10 - 9 20 и 10 50 - 10 55 мк, сближаются между собой; кроме того, между ними появляются промежуточные полосы. Все это указывает на то, что в стекле в период подготовки его к кристаллизации действительно происходит синтез между компонентами, богатыми кремнеземом, и компонентами, богатыми натрием, в результате чего создаются промежуточные структуры. В слоях, лежащих ближе к поверхности, этот синтез протекает быстрее, чем в слоях, более удаленных от нее. Вследствие этого между кристаллической коркой и серединой образца создается переходный слой стекла, наружные и глубинные участки которого находятся в разной стадии предкристаллизации стекла. У стекол разного состава толщина этого слоя может быть разной. Иногда вся толщина стекла до самого центра представляет собой переходный слой, иногда же он лежит только непосредственно под кристаллическим слоем, так что спектры отражения более удаленных от поверхности слоев в пределах точности измерения не отличаются от спектров исходных стекол. [32]