Основная полоса - поглощение
Cтраница 1
 |
Спектр поглощения ( / / и излучения ( / КС1 Т1 - фосфора. [1] |
Основные полосы поглощения А и В, более слабая полоса b обусловлена активатором - таллием. Полоса А растет пропорционально увеличению концентрации таллия только при малых ее значениях; при увеличении концентрации таллия изменяется форма самого спектра поглощения. Полоса b растет быстрее полосы В. При возбуждении полосы В возникает как кратковременное, так и длительное свечение, которые различаются по спектральному составу. Спектр излучения состоит из двух широких полос - одна лежит в ультрафиолетовой, другая - в си-нефиолетовой областях спектра. Соответственно тому, как при изменении концентрации таллия меняется спектр поглоще-ния, меняется и спектр излучения. Точное местоположение атомов таллия в решетке пока не установлено. [2]
Основная полоса поглощения CdS при 25 С оканчивается около 515 - 520 Л А. При образовании смешанных кристаллов CdS-MnS край основной полосы поглощения несколько смещается в сторону более длинных волн. [3]
Основная полоса поглощения HF при 2 5 мк измерена на решеточном спектрометре с высокой разрешающей силой при температуре 117 С и при давлениях 200 - 3860 мм. [4]
 |
Спектральные полосы поглощения углекислого газа и водяного пара. [5] |
Основные полосы поглощения углекислоты СО2 и водяного пара Н2О схематически показаны на рис. 1.2. Как видно из этого рисунка, спектральные полосы поглощения СО2 частично совпадают с полосами поглощения водяного пара. [6]
Основные полосы поглощения медных комплексов с фрагментами тетрагидроизоиндола в сравнении с аналогичными комплексами с остатками изоиндола показывают гипсохромный эффект, а с фрагментами дитиодигидроизои ндола - батохромный эффект. [7]
Если основные полосы поглощения отнесены, то, как правило, не следует пытаться интерпретировать слабые полосы. Преувеличенное значение, которое приписывают происхождению слабых полос поглощения, в аналитической работе пользы не приносит. Если же необходимо отнести слабые полосы, то лучше сначала провести разделение веществ, а потом идентифицировать их отдельно. [8]
Если основные полосы поглощения отнесены, то, как правило, не следует пытаться интерпретировать слабые полосы. Преувеличенное значение, которое приписывают происхождению слабых полос погло-щения в аналитической работе пользы не приносит. Если же необходимо отнести слабые полосы, то лучше сначала провести разделение веществ, а потом идентифицировать их отдельно. [9]
 |
Сушка деталей в квазикипя-щем слое. [10] |
Наличие основных полос поглощения воды в коротковолновом диапазоне длин волн и температурный фактор, приводящий к резкому увеличению коэффициента поглощения, являются отправными моментами для выбора источника инфракрасного излучения. При этом необходимо учитывать прозрачность среды между источником и изделием, физико-химическую форму связи воды с изделием, коэффициент поглощения материала изделия. [11]
 |
Схема электронных переходов между различными, типами атомных и молекулярных орбиталей. [12] |
Видна одна основная полоса поглощения, на фоне которой просматривается несколько максимумов, соответствующих различным колебательным переходам. [13]
Видна одна основная полоса поглощения, на фоне которой просматривается несколько максимумов, соответствующих различным колебательным переходам. [14]
 |
Идеализированная структура силиката Ca2 ( HSi04 OH. [15] |
Страницы: 1 2 3 4