Бурстейн

Cтраница 1

Бурстейн, Пикус и Джебби [39] наблюдали циклотронный резонанс в далекой инфракрасной области частот в InSb, а Кэйз, Цвердлинг, Фонер, Колм и Лэкс [40] - в InAs. Циклотронный резонанс подробно изучен в Ge и Si и в результате полностью определена структура зон в этих полупроводниках вблизи экстремумов. [1]

Бурстейн, Белл, Дэвиссон и Лэкс [55] впервые исследовали поглощение света в Si в результате фотоионизации и возбуждения примеси. На этой кривой с левой стороны сплошного спектра поглощения четко выступают три линии поглощения, обусловленные возбуждением электрона с основного уровня, а также фотоионизацией примесных центров. В более поздней работе Хростовского и Кайзера [56] обнаружено не менее семи линий возбуждения примеси В. Для возбужденных состояний примеси, особенно донорной примеси, положение линий находится в исключительно хорошем согласии с предсказаниями теории, основанной на простой водородоподобной модели. [2]

Расщепление в нулевом поле для некоторых ароматических соединений. [3]

Бурстейна и Гутермана [16], с экспериментальными данными. [4]

Мосс [14] и Бурстейн [15], эти уровни уже не могут участвовать в процессе поглощения света ( см. гл. [5]

Хорошо виден сдвиг Бурстейна у легированных образцов. [6]

Была выполнена огромная работа по исследованию оптического поглощения примесями в Si и по сравнению результатов опыта с теорией. Фань и Беккер [52], Бурстейн, Оберли, Дэвиссон и Хенвиз [53], а также Роллин и Симмонс [54], показали, что в результате фотоионизации примеси как в Ge, так и в Si может появиться фотопроводимость. [7]

Зависимость величины энергетической щели таллия от температуры. [8]

Рядом авторов отмечались различные особенности, связанные с тонкой структурой туннельных характеристик. Наличие избыточного тока между двумя сверхпроводниками при напряжениях U е / е и U е - 2 / е, при которых край зоны одного сверхпроводника совпадает с уровнем Ферми другого, Тэйлор и Бурстейн [121] объясняли процессами двухчастичного туннелирования. [9]

Энергетические уровни других примесей обычно расположены дальше от валентной зоны или зоны проводимости. Эти данные взяты из обзоров, составленных Бартоном [45], ВудберииТайлером [46] Бурстейном Пикусом и Скляром [47], и из других источников, упомянутых в гл. Видно, что для германия имеется больше данных, чем для кремния, и что подавляющее число примесей имеет больше одного уровня. Случай золота уже подробно обсуждал - - ся в гл. [10]

В InSb при тое0 013яг сдвиг составляет 3 85 - 1СГ3 эвпри 5104 ее. Соответствующий сдвиг потолка валентной зоны, обусловленный дырками, должен быть значительно меньше, учитывая значительно большую массу mh последних. Это явление наблюдалось в InSb Бурстейном, Пику-сом, Джебби и Блэттом [39] в виде сдвига края собственного поглощения в магнитных полях вплоть до 6 - Ю4 гс. [11]

Страницы: 1