Полуметалл
Cтраница 1
Полуметаллы отличаются от металлов тем, что они не ковки; их насчитывается пять: ртуть, висмут, цинк, мышьяк, королек сурьмы. [1]
 |
Некоторые характерные свойства металлов и неметаллов. [2] |
Полуметаллы обладают свойствами как металлов, так и неметаллов. Например, серый мышьяк имеет металлический блеск и электрическую проводимость, однако он хрупок, а желтый мышьяк - имеет чисто неметаллические свойства. [3]
Полуметаллы - это случай, когда две зоны частично перекрываются, а уровень Ферми находится вблизи их совмещенной части. [4]
Этот полуметалл при температурах ниже 90 К приобретает свойства полупроводника, имеющего подвижность носителей заряда в 100 - 1000 раз выше, чем германий и кремний. В параметрическом усилителе периодически изменяется емкость колебательной системы. [5]
Даже полуметаллы с ромбоэдрической структурой становятся высокопластичными после очистки; сурьма марки СУ-000 при температурах выше 300 С, а висмут чистотой 99 999 % - выше 100 С. Металлы со сложными типами кристаллической структуры ( самарий, марганец, уран, плутоний) при высоких температурах пластичны. [6]
Хотя полуметаллы, использующиеся в кристаллических триодах ( транзисторах), стали применяться многими исследователями, занимающимися изучением полупроводниковых свойств веществ, окисные полупроводники используются еще более широко и не только как собственные полупроводники. Они могут быть приготовлены в самых разнообразных формах - от тонких пленок, рыхлых и спеченных порошков до монокристаллов, и так как обычно обладают высокими температурами плавления, то, как правило, стабильны при более низких температурах. Окисные полупроводники широко используются в керамической промышленности и как катализаторы в различных химических процессах. [7]
 |
Зависимость к ( Т меди / и сплавов железа с 3 % N1 ( 2 и 0 1 % С ( 3. Правая шкала для кри-вой 1, левая - для кривых 2иЗ. [8] |
Теплопроводность полуметаллов, полупроводников мы не оу-дем рассматривать. Укажем лишь, что плотность электронного газа в полуметаллах и полупроводниках слишком мала, чтобы обеспечить заметную величину электронной теплопроводности. [9]
С полуметаллами - элементами Ilia подгруппы ( В, Al, Ga, In, T1) образует селениды с разнообразными кристаллическими структурами: А125е3, 3 - In2Se3 - с гек-сагоналыной типа вюртцита; GaSe, InSe - с гексагональной типа GaS; a - Ga2Se3, уС а25е3, y - In2Se3 - с кубической; p - Ga2Se3, Tl2Se, TISe - с тетрагональной. Селениды галлия и индия имеют по несколько полиморфных превращений в зависимости от температурных условий их получения. Наибольшее число халькогенидных фаз образуют галлий и индий. [10]
В полуметаллах и узкозонных полупроводниках изменение ширины запрещенной зоны, вызываемое магнитным полем, может быть сравнимо с шириной запрещенной зоны в отсутствие поля Поскольку эффективные массы сильно зависят от расстояния между зонами, они могут оказаться сильно зависящими от поля, что в. Кроме того, спиновое расщецление уровней Ландау становится сравнимым с расстоянием между уровнями. [11]
В полуметаллах движение носителей в нижней из перекрывающихся зон также описывают как движение дырок. [12]
В полуметаллах, в металлах с аномально малым числом электронов и в вырожденных полупроводниках с низкой концентрацией носителей заряда достигается ситуация, когда ниже SF остается 1 уровень Ландау. [14]
 |
Зависимость от толщины d электропроводности гонкой проволоки из W ( квадратного поперечного сечения. [15] |
Страницы: 1 2 3 4 5