Полупроводник - тип - германий
Cтраница 1
Полупроводник типа германия имеет у границы зоны Бриллюэна почти изотропную оптически разрешенную ширину запрещенной зоны Ее, из-за чего у этого полупроводника имеется существенное поглощение. [1]
Полупроводник типа германия имеет у границы зоны Бриллюэна почти изотропную оптически разрешенную ширину запрещенной зоны § g, из-за чего у этого полупроводника имеется существенное поглощение. [2]
В работе [ 11 рассмотрены катализаторы, охватывающие больший интервал Да:, в том числе полупроводники типа германия и кремния или А ( III) - В ( V) с Да, равными нулю или близкими к нулю. Как уже указывалось в ГЗ ], протекание дегидрирования спиртов по различным механизмам на поверхности окислов-полупроводников и на твердых основаниях приводит к противоположным зависимостям каталитической активности от Да; и уменьшает соответствующий корреляционный коэффициент. [3]
Хотя здесь применяются термины валентный уровень и уровень проводимости, это отнюдь не означает, что носители делокализованы в том же смысле, как это имеет место в полупроводниках типа германия. В действительности в гомомолекулярных кристаллах ( например, в антрацене) при комнатной температуре носители сильно локализованы, и традиционная одноэлектронная зонная модель не дает адекватного описания всех особенностей проводимости в этих кристаллах ( разд. Именно по этой причине вместо обычного термина зона иногда пользуются термином уровень. Неприменимость зонной теории в одноэлектронном приближении к кристаллам ароматических углеводородов обусловлена сильными поляризационными эффектами в узкозонных полупроводниках. Наличие высокой энергии поляризации само по себе еще не является препятствием для переноса заряда между соседними узлами решетки. Насколько легко такой перенос сможет осуществиться, целиком зависит от отношения энергии поляризации к энергии взаимодействия между ближайшими соседями. Так, например, в молекулярном кристалле типа антрацена энергия межмолекулярного взаимодействия значительно ниже энергии поляризации и носители будут обнаруживать склонность к локализации. В широкозонных материалах типа германия или кремния энергия поляризации меньше энергии межатомного взаимодействия и, следовательно, время переноса заряда между соседними узлами решетки мало. [4]
Все эти свойства весьма существенны для полупроводниковой электроники, изучающей выпрямление и усиление в полупроводниковых приборах. Из ранних работ [2-5], в которых измерялась главным образом контактная разность потенциалов, следовало, что на полупроводниках типа германия и кремния существуют поверхностные уровни. Из этих работ не удалось определить точной картины энергетических уровней, однако более позднее исследование Браттэна и Бардина1) дает более детальные сведения об энергетической структуре поверхностных уровней. [5]
Аналогичный расчет может быть произведен и для акцепторной примеси. Согласно эксперименту для атомов сурьмы и алюминия в решетке германия значения энергии ионизации соответственно равны 0 0097 и 0 010 эв. Таким образом, в первом приближении теоретический расчет энергии ионизации для элементов V и III групп таблицы Менделеева, которые являются донорной и акцепторной примесью в полупроводниках типа германия и кремния, хорошо согласуется с экспериментальными данными. [6]
Рассмотрим теперь причину высокого электрического сопротивления ферритов. Однако кристаллическая решетка ферритов состоит из чередующихся положительно и отрицательно заряженных ионов. Поэтому механизм электропроводности ферритов должен отличаться от механизма электропроводности полупроводников типа германия с большой длиной свободного пробега носителей тока. [7]
Здесь мы не будем рассматривать имеющую место сильную зависимость квантового выхода объемной генерации носителей от напряженности электрического поля, разделяющего заряды, - мы остановимся на этом в разд. Сейчас нас интересует механизм превращения возбужденного молекулярного состояния в ионизованное. Существуют два основных вида ионизации: один из них принято называть межзонным переходом, или мо-низациьнным переходом зона - зона, другой известен как автоионизационный переход. При межзонном переходе электрон непосредственно возбуждается из основного в ионизованное состояние; этот переход конкурирует с оптическим переходом из основного в высшее возбужденное состояние. В полупроводниках типа германия и кремния собственная ионизация происходит путем переходов зона - зона. [9]
В работах первой группы изучаются излучательные и безызлучательные переходы электронов, локализованных у примесных центров. Эти исследования составляют теоретическую основу для интерпретации экспериментальных данных, касающихся формы примесных полос поглощения света, тушения люминесценции, вероятностей термической ионизации примесных центров и сечений захвата носителей тока последними. В статьях 47 и 48 дается обобщение известного метода эффективной массы [27] на случай зон с минимумами не в центре зоны Бриллюэна, а также на случай вырожденных зон и наличия магнитного поля. Результаты используются ( в статьях 49 и 50) для исследования локальных уровней водородного типа в кремнии. В статье 51 анизотропия изоэнергетических поверхностей ( равно как и анизотропия времени релаксации) принимается во внимание при построении теории кинетических коэффициентов в полупроводниках типа электронного германия. Ввиду неизбежной ограниченности объема сборника мы не имели возможности перевести все ( довольно многочисленные) статьи на эту тему, появившиеся за последние годы; в данной работе дано, по-видимому, наиболее полное рассмотрение вопроса. [10]
Страницы: 1