Донорный полупроводник

Cтраница 1

Донорные полупроводники называют полупроводниками п-типа. В таком полупроводнике электроны являются основными носителями тока, а дырки ( образовавшиеся при разрыве отдельных связей собственного полупроводника под действием нагревания или облучения) являются неосновными носителями тока. [1]

Схема образования дырки в полупроводниковом материале, легированном элементом третьей группы. [2]

Для донорного полупроводника образование свободного электрона не сопровождается образованием дырки. Если в полупроводник ввести донорную примесь, то ток в нем будет образовываться в основном электронами, поэтому такие полупроводники и называют электронными, а сами электроны называют основными носителями в отличие от дырок, которые в полупроводнике n - типа будут неосновными носителями. [3]

Каким типом проводимости облада-дают донорные полупроводники. [4]

Оказывается, если уровень Et в донорном полупроводнике расположен в нижней половине запрещенной зоны, то аналогичный анализ зависимости времени жизни от уровня Ферми покажет, что области / / и / / / ( см. рис. 56) поменяются местами. Тогда при анализе температурной зависимости уровня Ферми мы получим аналогичную по виду с рис. 57, в зависимость In т / ( 1 / Т), но на участке / / угол q будет определяться не величиной А. [5]

Получение р - л-перехода методом сплавления. [6]

Электронно-дырочный переход может быть получен также диффузией акцепторной примеси в донорный полупроводник или донорной примеси в акцепторный полупроводник. [7]

Электронно-дырочный переход может быть получен также путем диффузии акцепторной примеси в донорный полупроводник, или донорной примеси в акцепторный полупроводник. [8]

Решение задачи для полупроводника, легированного акцепторной примесью, полностью аналогично случаю донорного полупроводника. [9]

Если внедряют примесь с валентностью большей, чем у собственного полупроводника, образуется донорный полупроводник. [10]

На рисунке 7 в таблице 18 приведена зависимость концентрации носителей тока от температуры в донорном полупроводнике. Сплошной кривой изображена зависимость рл ( 7), а пунктирной - зависимость pp ( T) i Ts - температура истощения примесей. При очень низких температурах ( меньше температуры Ts) концентрация рп быстро растет вследствие переходов с донорного уровня в зону проводимости. Затем на графике мы наблюдаем, что рп не изменяется примерно вплоть до 400 К. [11]

Температурная зависимость концентрации электронов в донорном полупроводнике с различными степенями компенсации доноров. Все кривые рассчитаны для NJ - N 10 см -, Л.| Температурная зависимость уровня Ферми в донорном полупроводнике с различными степенями компенсации доноров. Обозначения соответствуют 45. [12]

Поведение концентрации носителей в частично компенсированном полупроводнике в области собственной проводи-мости, очевидно, аналогично поведению чисто донорного полупроводника с одним типом доноров. [13]

Помимо основных, полупроводники содержат всегда и неосновные носители, появляющиеся в результате межзонной тепловой генерации: донорный полупроводник - дырки, дырочный полупроводник - электроны. Концентрация их, как правило, значительно ниже концентрации основных носителей. Легко установить связь между ними. Для этого рассмотрим невырожденный полупроводник, например, донорного типа. Основными носителями в нем являются электроны. [14]

Если концентрация компенсирующих центров Na стремится к нулю, то формула (3.61) переходит в выражение (3.53) для концентрации электронов в чисто донорном полупроводнике. [15]

Страницы: 1 2