Протонный полупроводник
Cтраница 1
 |
Полупроводниковые свойства германия и воды17. [1] |
Протонные полупроводники представляют большой интерес с точки зрения биологии при функционировании клеток и в пол, прозодниках-ионообменни-ках. [2]
На основе представлении о протонных полупроводниках дано, в частности, объяснение аномальной подвижности ионов водорода и гидроксила, а также предсказано существование протонной фотопроводимости. [3]
На основе представлений о протонных полупроводниках дано, в частности, объяснение аномальной подвижности ионов водорода и гидроксила, а также предсказано существование протонной фотопроводимости. [4]
Известны два вида полупроводников - электронные и протонные полупроводники. В электронных полупроводниках истинными носителями тока являются электроны; в протонных полупроводниках - протоны. [5]
Электронная проводимость и проводимость типа протонных полупроводников встречается в растворах сравнительно реже. [6]
Шах-паронову, вещества с молекулярными водородными связями могут быть протонными полупроводниками и протонными диэлектриками. Введено представление о протонных экситонах - особых возбужденных состояниях протона в конденсированной фазе. [7]
В связи с обсуждением свойств органических и неорганических электронных полупроводников следует кратко остановиться на протонных полупроводниках. В качестве таких полупроводников практически могут быть использованы различные мембраны и полимерные полупроводники, в которые введены сильнокислотные группы, где перенос тока может осуществляться за счет протонов и электронов проводимости. В последнее время созданы экспериментальные образцы усилителен и выпрямителей тока ( на границе раздела анионная - ка-тионная мембрана) на основе геонитных мембран. [8]
Известны два вида полупроводников - электронные и протонные полупроводники. В электронных полупроводниках истинными носителями тока являются электроны; в протонных полупроводниках - протоны. [9]
В рассмотренном случае [152] указана одна из последних возможностей, поскольку максимум емкости по крайней мере на 50 % меньше теоретической величины для идеальной поверхностной редокс-систе-мы, а его ширину на уровне половины высоты ( у - 0 5) приближенно можно оценить как 0 8 0 1 в. Необходимо отметить, что в случае монослоинои окиснои пленки валентные изменения в поверхностном окисле, вероятно, эквивалентны изменению степени заполнения различными частицами. Так, М - ОН может заместиться на М - О ( см. также [131 ]), что соответствует повышению валентности М от единицы до двух. При этом окисел рассматривается как электронный и протонный полупроводник. Сложность формы кривых заряжения благородных металлов, включая золото [152, 156], в значительной мере связана, по-видимому, с такими эффектами изменения валентности. [10]
Страницы: 1