Идеальный полупроводник

Cтраница 1

Идеальные полупроводники, в материале которых нет примесей, характеризуются наличием энергетического барьера, наибольшая ширина которого значительно меньше, чем у диэлектриков, и составляет 1 - 1 5 эв. [1]

Структура связей атомов германия в кристаллической. [2]

Идеальные полупроводники, в материале которых HCI примесей, характеризуются наличием энергетического барьера, наибольшая ширина которого значительно меньше, чем у диэлектриков, и составляет 1 - 1 5 эв. На рис. 2 - 2 а схематически показана структура связей атомов германия в кристаллической решетке. [3]

Для идеального полупроводника типа алмаза схема действия чужеродных примесей, образующих твердый раствор по типу замещения, весьма проста. [4]

В идеальном полупроводнике число дырок в нормальной полосе должно равняться числу электронов в полосе возбуждения, и поэтому оба механизма тока должны существовать одновременно, в значительной степени уравновешивая друг друга. В реальных кристаллах, однако, всегда имеется хотя бы количественно ничтожная примесь посторонних веществ, так что само соотношение числа атомов, из которых построен кристалл, несколько отличается от точного стехиометрического состава. [5]

Перестройка частоты генерации лазера на красителях без селективного элемента ( / и с селективным элементом ( 2 в пределах полосы люминесценции ( 3. [6]

В идеальном полупроводнике при ГОК все электроны находятся в валентной зоне. Зона проводимости полностью свободна от электронов. В этом случае полупроводник не может проводить электрический ток и является изолятором. При ненулевой температуре часть электронов за счет теплового движения переходит из валентной зоны в зону проводимости. В результате такого перехода в валентной зоне появляются свободные места - дырки. Дырка эквивалентна частице с положительным зарядом. [7]

В идеальном полупроводнике, если все электроны находятся в наинизшем энергетическом состоянии, в зоне проводимости не должно быть электронов. Такое положение теоретически возможно лишь при абсолютном нуле. [8]

Энергетические зоны полупроводника. [9]

В идеальном полупроводнике при температуре абсолютного нуля валентная зона полностью занята электронами, а свободная - полностью свободна, и полупроводник в этом случае является изолятором. При температурах выше 0 К часть валентных электронов переходит в свободную зону и в полупроводнике появляется электропроводность как за счет электронов в свободной зоне, так и за счет дырок в валентной зоне. Примеси в полупроводнике вызывают появление в запрещенной зоне локальных уровней ( донорных вблизи зоны проводимости и акцепторных вблизи валентной зоны), сужающих эту зону. [10]

Германий. а - связь атома с четырьмя соседними атомами, б - кристаллическая решетка. [11]

В идеальном полупроводнике при разрывах валентных связей одновременно возникают в равных количествах электроны и дырки; такой полупроводник обладает и электронной и дырочной проводимостями. Проводимость, наблюдаемая в идеальном ( чистом) полупроводнике, называется собственной. [12]

В идеальном полупроводнике, когда все электроны находятся в наинизшем энергетическом состоянии, в зоне проводимости не должно быть электронов. [13]

Сейчас таким идеальным полупроводником становится сурьмянистый индий сверхвысокой чистрты. [14]

Сейчас таким идеальным полупроводником становится сурьмянистый индий сверхвысокой чистоты. [15]

Страницы: 1 2 3