Кремниевый полупроводник

Cтраница 1

Кремниевые полупроводники, которые использовались в механизмах управления искусственными спутниками Земли, изготовлялись в цехах, где недопустимо было присутствие никаких других материалов и металлов; даже в воздухе таких цехов могли быть следы лишь того же кремния. [1]

Чем объясняется высокая твердость германиевых и кремниевых полупроводников. [2]

Особое место в технологии изготовления германиевых и кремниевых полупроводников занимает получение p - n - переходов. Два технологических приема связаны непосредственно с процессом получения монокристаллов вытягиванием. Один из них использует процессы, происходящие в расплаве с введенными в него акцепторными и донор-ными примесями при изменении скорости вытягивания. [3]

Структурная схема ( а, вольтамперная характеристика ( б и конструктивное оформление ( в тиристора. [4]

Тиристор ( рис. 24, а) представляет собой четырехслойный кремниевый полупроводник с двумя р - / г-переходами и одним п - р-пере-ходом. Величина силы тока /, проходящего через тиристор под действием анодного напряжения Ua, зависит от тока / у управления, проходящего через управляющий эл. [5]

Существует так называемый эпитаксиальный способ получения / г-и-переходов в кремниевых полупроводниках. Сущность его заключается в выращивании на поверхности специально подготовленной кремниевой пластинки монокристаллического слоя кремния с помощью осаждения его атомов из газовой фазы с одновременным введением в выращиваемый ( эпитаксиальный) слой необходимых примесей - донорных и акцепторных. В эпитаксиальной технологии существует и такой вариант, при котором весь процесс разбит на две стадии: сначала наращивается эпитаксиальный слой кремния без каких-либо добавок, после чего диффузионным методом в него вводится необходимая примесь. [6]

Это средняя цифровая вычислительная машина с десятичной арифметикой, построена на базе германиевых и кремниевых полупроводников элементов, предназначена для обработки данных при решении административных и управленческих задач, научных расчетов и моделирования. [7]

Создание интегральных микросхем под требуемые размеры современных индикаторов находится за пределами возможностей ближайшего будущего в технологии кремниевых полупроводников. Технология тонких пленок, по-видимому, должна способствовать созданию той основы, на которой могут быть созданы разнообразные интегральные индикаторы [19, 20], имеющие поверхность, сравнимую с поверхностью экрана ЭЛП. В то же время использование технологии изготовления тонких пленок позволит получить достаточное геометрическое разрешение, чтобы создать матрицы, плотность строк на которых не уступает разрешающей способности глаза. Потребность в высоком напряжении у тонкопленочных устройств позволяет проводить их сопряжение со всеми воспроизводящими материалами, как используемыми в. Однако эти устройства в меньшей степени подходят для возбуждения материалов, работающих при значительных токах и низких напряжениях. Эта проблема является серьезной даже не для самих тоикопленочных устройств, которые могут быть спроектированы на потребление весьма значительных токов ( приближающихся к 40 мА на 1 мм ширины канала), а для по-лосковых шин. [8]

Технические данные выпрямительного агрегата ВАЗП 380 / 260 - 40 / 80. [9]

В качестве зарядно-подзарядно-го устройства может быть использован выпрямительный агрегат типа ВАЗП 380 / 260 - 40 / 80, выполненный на кремниевых полупроводниках с автоматической стабилизацией напряжения. [10]

Схема и иллюстрация принципа ( работы ЭМУ с критическим самовозбуждением. [11]

Системы управления с ЭМУ обеспечивают непрерывность управления, создают возможность суммирования в ЭМУ значительного числа сигналов управления, просто и целесообразно преобразуемых с помощью полупроводниковых выпрямителей, в том числе кремниевых полупроводников. [12]

Этот эффект выражен у них гораздо сильнее, чем у германиевых транзисторов. В аппаратуре, где требуется применение кремниевых полупроводников, крайне желательно использовать отдельный детектор на кремниевом диоде. Впрочем, и германиевый детектор имеет ограничения. Указанная выше рабочая точка 50 мка у некоторых типов транзисторов не может быть достаточно удалена от точки отсечки коллекторного тока, и потому необходима тщательная стабилизация рабочего режима при нулевом сигнале. [13]

Чувствительный элемент присоединяется к датчику средней температуры, являющемуся прецизионным электрическим компенсационным измерительным преобразователем постоянного напряжения. Электронные схемы прибора построены на интегральных схемах и кремниевых полупроводниках. Предел измерения и нулевая точка прибора изменяются переключением. [14]

В постоянную память записывается также значение базисной температуры TO. Центральный блок обработки данных построен на интегральных элементах фирмы Texas и кремниевых полупроводниках. Арифметический блок работает в последовательном режиме действия. [15]

Страницы: 1 2