Чистый беспримесный полупроводник

Cтраница 1

Чистый, беспримесный полупроводник называют собственным, а свободные электронно-дырочные пары в нем - собственными носителями заряда. Этими носителями обусловлена собственная электропроводность чистого полупроводника. [1]

Однако чистый беспримесный полупроводник не представляет практического интереса, так же как чистый металл. Практический интерес представляют сплавы полупроводников, поскольку работа полупроводникового выпрямителя или усилителя основана на возможности создания в кристалле полупроводника смежных областей с разным типом проводимости. Граница этих областей, так называемый электронно-дырочный, или w - p - переход, является основной частью полупроводникового прибора. Создание такого перехода возможно только при введении в полупроводник примесей, так как чистые германий и кремний обладают только одним типом проводимости - электронным. [2]

Однако чистый беспримесный полупроводник не представляет практического интереса, так же - как чистый металл. Практический интерес представляют сплавы полупроводников, поскольку работа полупроводникового выпрямителя или усилителя основана на возможности создания в кристалле полупроводника смежных областей с разным типом проводимости. Граница этих областей, так называемый электронно-дырочный, или n - p - переход, является основной частью полупроводникового прибора. Создание такого перехода возможно только при введении в полупроводник примесей, так как чистые германий и кремний обладают только одним типом проводимости - электронным. [3]

Плотность состояний в чистом ( р и в сильно легированном ( р полупроводнике. [4]

Имеется в виду зона проводимости чистого беспримесного полупроводника. [5]

Как объяснить тот факт, что чистый беспримесный полупроводник с идеальной кристаллической структурой обнаруживает электронный характер проводимости. [6]

Выражение (3.4.34) в точности совпадает с хорошо известной формулой для чистых беспримесных полупроводников [23], а (3.4.36) - для металлов. Обе формулы действительно подтверждают опытный закон Видемана - Франца. [7]

Контакт металла ( М. [8]

В этом слое удельная электропроводность достигнет минимальной величины и сделается равной электропроводности чистого беспримесного полупроводника. [9]

Полученные при этом выражения для времени релаксации приведены в таблице 3.2. Эти выражения справедливы для чистого беспримесного полупроводника. Сравнение формул для тл показывает, что оба метода дают один и тот же характер зависимости от температуры и от эффективной массы носителей заряда. Физический смысл кон-станты С заключается в том, что она характеризует интенсивность взаимодействия электрона с колебаниями атомов решетки. Константа Ег характеризует смещение дна свободной зоны при единичной объемной деформации кристалла. [10]

Определив концентрации свободных электронов и дырок, показать, что при достаточно низких температурах уровень Ферми в чистом беспримесном полупроводнике находится посредине запрещенной зоны. [11]

В чистых беспримесных полупроводниках учет электронного взаимодействия дает для т - поправку до 60 % [34] по сравнению с т, вычисленным по формуле Брукса-Херринга. Физический смысл электрон-электронного взаимодействия заключается в перераспределении между электронами той энергии, которую они получают от электрического поля. В результате быстрые электроны получают меньший импульс за счет того, что часть энергии получают медленные электроны. [12]

Контакт металла ( Л / с электронным полупроводником при большой разности контактных потенциалов. [13]

В этом слое удельная электропроводность достигнет минимальной величины и сделается равной электропроводности чистого беспримесного полупроводника. [14]

Изложение теоретических и экспериментальных данных, касающихся сильно легированных кристаллов, не может быть выполнено без сравнения с обычными слабо легированными или чистыми полупроводниками. С этой целью почти в каждой главе книги имеется первый параграф Предварительные замечания, содержащий краткое освещение уже изложенных в литературе вопросов, относящихся к свойствам чистых беспримесных полупроводников. [15]

Страницы: 1