Cтраница 4
В собственном полупроводнике, например в кремнии ( р 10а сж-3), время диэлектрической релаксации порядка 1 мксек, для материала, используемого в транзисторах ( рр Ю14 CM-S), значение % d находится в наносекундной области. [46]
В собственных полупроводниках параметры Da и гэ существенно отличаются ст соответствующих параметров для электронов и дырок. [47]
В собственном полупроводнике носителями заряда являются свободные электроны и дырки, концентрации которых одинаковы. [48]
В собственном полупроводнике ток обусловлен электронами и дырками. [49]
В собственном полупроводнике носителями заряда являются свободные электроны и дырки, концентрации которых одинаковы. [50]
В собственном полупроводнике, где нет никаких примесей и дефектов, время релаксации определяется рассеянием носителей на фононах. [51]