Cтраница 2
Результаты расчетов для трехмерного случая [3.22, 3.68] также кратко обсуждаются в разд. В этом случае двойной резонанс ведет только к слабой логарифмической частотной зависимости. Усиливается ли рассеяние лишь небольшой частью фононов с определенным волновым вектором в случае трех измерений, зависит от времен жизни электронов и природы взаимодействия. Это может вызывать сильное РКрС на LO-фононах с волновыми векторами вблизи центра зоны Бриллюэна. Следовательно, можно ожидать, что в полярных полупроводниках фрелиховское взаимодействие может приводить к сильному, с резким максимумом РКРС с основным вкладом двойного ( многократного) резонанса. [16]
В этом - случае каждый избыточный атом серы должен был бы освободить положительную дырку. Однако на опыте не всегда удается обнаружить FJ - и FJ-центры. BCdS, например, избыточные атомы Cd освобождают при комнатных температурах свободные электроны, тогда как избыточная сера не дает свободных дырок. Это означает, что акцепторный уровень, соответствующий Fj-центру, расположен слишком далеко от потолка валентной зоны, чтобы Fc-центр мог ионизироваться при комнатных температурах. Чужеродные ионы с валентностью, отличной от валентности основных атомов, также порождают донорные или акцепторные уровни примеси в спектре энергии полярных полупроводников. Предполагается, например, что атомы Bi образуют в PbS примесь замещения в виде ионов В. При этом возникнет примесный центр Bi3 с эффективным зарядом е относительно потенциала идеального кристалла. Возможно также замещение аниона чужеродным атомом. [17]
В настоящей главе мы также изучали различные способы воздействия фононов на электроны, т.е. электрон-фононные взаимодействия. Эти взаимодействия оказывают сильное влияние на оптические и транспортные свойства электронов в полупроводниках. Мы показали, каким образом длинноволновые акустические фононы могут с помощью своего поля деформации изменять энергии электронов. Эти взаимодействия могут описываться посредством деформационных потенциалов. Оптические фононы могут приводить к внутренней деформации, а их взаимодействия с электронами также могут быть описаны посредством деформационных потенциалов оптических фононов. В полярных полупроводниках длинноволновые фононы, как акустические, так и оптические, могут создавать электрические поля благодаря зарядам, связанным с движущимися ионами. Эти поля могут очень сильно взаимодействовать с электронами, приводя к пьезоэлектрическим электрон-фононным взаимодействиям для акустических фононов и фрелиховскому взаимодействию для оптических фононов. Электроны, находящиеся в экстремумах зон, расположенных вблизи границы или на границе зоны, могут рассеиваться из одной долины в другую эквивалентную долину с помощью междолинных электрон-фононных взаимодействий. [18]