Бесщелевой полупроводник
Cтраница 1
 |
Примеры поверхностей Ферми некоторых металлов. а - медь. б - цинк. в - сурьма. г - вольфрам. д - алюминий, индий. [1] |
Бесщелевые полупроводники, конечно, составляют исключение из правила. Итак, один электрон перешел в ранее свободную точку р-пространства. [2]
Бесщелевой полупроводник - полупроводник с пулевой ( или очень малой) запрещенной зоной, отделяющей зону проводимости от валентной. [3]
 |
Зонная схема полупроводника ( состояния, эа-полвенные элеитровами, заштрихованы.| Расположение иао-энергетических поверхностей электронов в зоне Бриллю-еиа для Si ( пунктир - границы зоны. [4] |
Существуют бесщелевые полупроводники, у к-рых fg 0 ( напр. Hg CdjcTe), g может принимать очень малые значения. [5]
Благодаря использованию бесщелевых полупроводников ( теллур, селен, сплавы висмут-сурьма и др.) частотная граница применения полупроводниковых приборов может быть поднята до нескольких тысяч гигагерц, а питающие и управляющие напряжения уменьшены до единиц и десятков милливольт. [6]
Она выделяет область занятых электронных состояний в пространстве квазиимпульсов. У бесщелевых полупроводников она совпадает с границей, отделяющей валентную зону от зоны проводимости. [7]
Зоны энергетического спектра соприкасаются без перекрытия. Кристаллы этого редкого класса называются бесщелевыми полупроводниками и занимают промежуточное положение между полуметаллами н полупроводниками. Под действием электрического поля электроны в полуметалле движутся в пределах своей зоны, а в бесщелевых полупроводниках переходят в зону проводимости, что приводит к существенным различиям в динамических свойствах носителей заряда в этих веществах. [8]
Частным случаем таких переходов является переход металл - диэлектрик, к-рый сопровождается исчезновением поверхности Ферми электронов и дырок. V группы наблюдается под давлением, при одноосных деформациях и в иагн. V группы происходят переходы в состояние бесщелевого полупроводника, к-рые сопровождаются резким уменьшением эфф, масс носителей, возрастанием их подвижности и анизотропии поверхности Ферми. [9]
Зоны энергетического спектра соприкасаются без перекрытия. Кристаллы этого редкого класса называются бесщелевыми полупроводниками и занимают промежуточное положение между полуметаллами н полупроводниками. Под действием электрического поля электроны в полуметалле движутся в пределах своей зоны, а в бесщелевых полупроводниках переходят в зону проводимости, что приводит к существенным различиям в динамических свойствах носителей заряда в этих веществах. [10]
В соответствии с Паули принципом в каждом энергетич. N-число уровней в зоне, равное числу элементарных ячеек кристалла. При Г0 К все электроны занимают наиб, низкие энергетич. Существуют бесщелевые полупроводники, зона проводимости к-рых примыкает к валентной зоне. [11]
В заключение этого параграфа упомянем об интересной ситуации, возникающей, если одна из соприкасающихся в точке вырождения kg зон является зоной проводимости, а другая - валентной зоной. Энергетическая щель в спектре такого типа равна нулю; для рождения электрона и дырки с импульсами, близкими к kg, достаточно сколь угодно малой энергии. Такие кристаллы являются в определенном смысле промежуточными между диэлектриком и металлом. Энергетическая щель отсутствует, но электронные и дырочные состояния не разделены только в одной точке k - пространства. При Т 0 в таком бесщелевом полупроводнике 1) носители тока отсутствуют, но при низких температурах их число возрастает по степенному, а не экспоненциальному закону. [12]
Страницы: 1