Получение - чистый материал
Cтраница 1
Получение столь чистого материала является довольно сложной задачей. По этой причине приборы, разработанные на основе кремния, оказываются, как правило, более дорогими, чем на основе германия. [1]
Для получения чистых материалов необходимы не только соответствующие технология и аппаратурное оформление, но и аналитические методы для идентификации материалов, определения степени их чистоты и методы контроля процесса производства. [2]
Для получения химически чистых материалов, например для нужд радио - и электротехники, в ряде случаев используют метал-лотермические методы. Они основаны на выделении металлов из их соединений другими более активными металлами ( а также водородом) при повышенных температурах. Например, сравнительно чистый германий получают восстановлением его двуокиси водородом, а кремний - восстановлением тетрахлорида кремния цинком в парообразной среде. [3]
К чистоте МОС, используемых для получения чистых материалов, предъявляются высокие требования. [4]
 |
Схема кристаллического усилителя. [5] |
Эти обстоятельства привели к созданию новой технологии получения чистых материалов, некоторые сведения о которой были изложены в гл. [6]
Разложение МОС в растворах проводится с целью получения чистых материалов в виде порошка или пленок. Методы разложения МОС в растворе основаны на термическом и фотохимическом распаде, электролизе, окислительно-восстановительных химических реакциях и гидролизе МОС. [7]
Методы порошковой металлургии применяют в связи с большей легкостью получения чистых материалов заданного состава, например компактные карбонильное железо, железоникелевые сплавы, сплавы типа пермаллоя. [8]
Специфические свойства графита, такие, как малое сечение поглощения нейтронов, хорошая замедляющая способность, сравнительная легкость получения химически чистого материала, исключительно высокие тепловые свойства и достаточная: прочность, обусловили его широкое применение в ядерной технике. Однако при облучении в ядерном реакторе свойства графита значительно изменяются вследствие смещения быстрыми нейтронами атомов углерода из узлов кристаллической решетки и создания в ней структурных изменений. [9]
Выращивание дефектных кристаллов с контролируемыми свойствами особенно остро ставит проблему получения высокочистых материалов. Существует несколько способов получения настолько чистых материалов, что в них содержится не более одной стомиллионной части примеси. [10]
Мгц), вследствие чего атомы гелия переходят в возбужденное состояние и, соударяясь с атомами неона, увеличивают энергию последних; в результате создается инверсия населенностей уровней атомов неона. Основные трудности связаны с получением чистых материалов заданного состава. [11]
Мгц), вследствие чего атомы гелия переходят в возбужденное состояние и, соударяясь с атомами неона, увеличивают энергию последних; в результате создается инверсия населешгостей уровней атомов неона. Основные трудности связаны с получением чистых материалов заданного состава. [12]
Этот способ вывода готового продукта обычно применяется при сфероидизации и дисперсизации материалов, вводимых в виде порошков, прутков, проволоки или испаряемых при плавке. В то же время он может быть использован при получении чистых материалов, восстановлении металлов из руд и в некоторых плазмохимических процессах, когда не требуется закалка необходимого продукта на определенной стадии технологического процесса. [13]
Они получили широкое распространение главным образом потому, что дают возможность достаточно просто получать объемные потоки плазмы и использовать в качестве плазмообразующей среды любой газ, в том числе и агрессивный, причем плазма является спектрально чистой, так как отсутствуют эрозирующие электроды. Этим и объясняется более интенсивное развитие ВЧИ-плазмотро-нов, особенно для получения химически чистых материалов. [14]
 |
Схема промышленной печи для обработки электронным лучом. [15] |
Страницы: 1 2