Получение - диэлектрическая пленка
Cтраница 1
Получение диэлектрических пленок для тонкопленочных конденсаторных структур на основе метода термического испарения встречает принципиальные трудности, связанные с тремя побочными явлениями: диссоциация окислов при испарении, взаимодействие с материалом испарителя и фоновой атмосферой, поляризационный захват примесей. [1]
Получение очень тонких беспористых диэлектрических пленок оказывается перспективным для изготовления конденсаторов, особенно многослойных. [2]
 |
Элементы приспособления для сеткографической печати. [3] |
Для получения диэлектрической пленки без микроотверстий рекомендуется двухкратная печать с промежуточной сушкой. В результате толщина диэлектрического слоя в отожженном состоянии может достигать 40 мкм. [4]
Обычно для получения диэлектрических пленок используются реакции трех типов: пиролиз, гидролиз и окисление. [5]
О методе получения диэлектрических пленок на алюминии, Жури, прикл. [6]
Прм Применяется для получения диэлектрических пленок. [7]
Аппаратурное оформление процессов получения диэлектрических пленок принципиально не отличается от оформления процессов получения металлических пленок. Типы установок, применяемых для осаждения диэлектрических пленок, рассмотрены ранее ( см. гл. Общие вопросы, связанные с получением, свойствами и применением окиспы. [8]
Ионно-плазменное распыление - метод получения резистивных, проводящих и диэлектрических пленок, при котором распыление осуществляется бомбардировкой материала мишени ионами плазмы газового разряда низкого давления, формируемого между термокатодом и независимым анодом. Отличительной чертой ионно-плазменного распыления является высокий вакуум, что обеспечивает получение более чистых пленок. Электрические цепи разряда и распыления развязаны. [9]
 |
Схемы базовой вакуумной установки УВН-2М ( а и технологи ческой оснастки рабочей камеры уста-яовек однооперационного ( б и многооперационного ( в типов. [10] |
Отечественная промышленность выпускает различные вакуумные установки, предназначенные для получения металлических и диэлектрических пленок в производстве гибридных и полупроводниковых ИМС. Они различаются по своим технологическим возможностям. Простейшей базовой моделью является УВН-2М ( рис. 12 - 2), на основе которой была создана серия установок, имеющих одинаковую вакуумную систему, но различную технологическую оснаст-ку, конструкцию испарителей и средства контроля. [11]
Рассмотрим детально механизм термического окисления кремния и кратко остановимся на других способах получения диэлектрических пленок на поверхности полупроводников. [12]
Одной из основных разновидностей методов катодного распыления является высокочастотное распыление, которое используется главным образом для получения диэлектрических пленок. Этот метод позволяет нейтрализовать заряд, который накапливается на диэлектрике в результате его бомбардировки ионами, и обеспечить интенсивное распыление диэлектрика. [13]
Предложить универсальный метод изготовления высококачественных пленок не представляется возможным. Все методы обеспечивают получение диэлектрических пленок среднего качества. Выбор способа осаждения должен основываться на совместимости данного метода с другими способами, необходимыми для изготовления прибороь. [14]
ОК) ( л и R HSi ( OR) 3 - A - ] высокой степени чистоты находят все большее применение в технике полупроводников. Так, триэтоксисилан является исходным материалом для получения кремния высокой чистоты [1, 2], тетраэтокси - и тетраметоксисилан используются при получении диэлектрических пленок двуокиси кремния для поверхностной пассивации и создания масок при проведении диффузии в процессе изготовления планарных кремниевых приборов. В то же время алкоксисиланы являются исходными для создания новых крем-нийорганическпх соединений. [15]
Страницы: 1 2