Получение - высокочистое вещество
Cтраница 1
Получение высокочистого вещества состоит в его глубокой очистке или в очистке исходных веществ для его синтеза и продуктов синтеза. В отличие от обычного разделения смесей для глубокой очистки веществ пока находят применение только химические и физико-химические методы. [1]
Получение высокочистого вещества связано с процессом освобождения его от сопутствующих примесей, поэтому, естественно, чем чище это вещество, чем меньше в нем содержится примесей, тем легче осуществляется его глубокая очистка. В связи с этим в качестве исходного сырья для получения особо чистых веществ используют, как правило, химические реактивы самой высшей квалификации. [2]
 |
Схема ректифици рующей части насадочной колонны. [3] |
Для получения высокочистых веществ требуются колонны с большим числом тарелок. При этом для их изготовления необходимо подбирать такой материал, который бы в заметной степени не загрязнял очищаемое вещество. [4]
Технология получения высокочистых веществ сводится в основном к глубокой очистке целевого продукта от сопутствующих примесей, поэтому методы получения высокочистых веществ по сути своей являются методами глубокой очистки вещества. [5]
Наиболее часто для получения высокочистых веществ осажде нием из газовой фазы используют реакции термического разложения, восстановления галогенидов водородом, обменные реакции взаимодействия хлоридов и гидридов, химические транспортные реакции, при которых химическое осаждение и химическая возгонка веществ объединяются в единый процесс. [6]
Основные успехи в области получения высокочистых веществ химическим осаждением из газовой фазы достигнуты главным образом в результате эмпирического подбора оптимальных условий, основанного на экспериментальном определении влияния различных факторов на качество получаемых веществ. Несмотря на то, что в настоящее время накоплен большой материал, позволяющий оценить влияние таких факторов, как температура, состав газовой фазы, качество подложки, скорость и направление потока газов по отношению к реакционной поверхности, тем не менее для каждого конкретного случая необходимо подбирать оптимальные условия осуществления процесса исходя из самых общих, в основном, термодинамических положений и результатов экспериментального изучения кинетики химических реакций, лежащих в основе процесса. [7]
Направление научных исследований: методы получения высокочистых веществ; анализ фаз и следов элементов; получение новых промышленных материалов; химическая коррозия; теплообмен; механика жидкостей; контроль и регулирование процессов химической технологии. [8]
Приведенные цифры убедительно показывают, насколько трудна задача получения высокочистых веществ, в которых содержание микропримесей в большинстве случаев лимитируется ниже их содержания в окружающей атмосфере. В связи с этим приточно-вы-тяжной вентиляции производства высокочистых веществ и очистке воздуха, поступающего в рабочие помещения, должно быть уделено самое серьезное внимание. [9]
Рассмотрены некоторые критерии, которыми следует руководствоваться при выборе условий получения высокочистых веществ химическим осаждением из газовой фазы. [10]
Развитие современной электроники было бы немыслимо без применения химических методов получения высокочистых веществ, используемых для изготовления полупроводников и транзисторов. Получение монокристаллов кремния и германия, обладающих высокой степенью чистоты, осуществляется посредством последовательной перекристаллизации. Для получения полупроводниковых микросхем путем нанесения тонких пленок, литографирования и травления требуется соблюдать высочайший уровень чистоты и однородности. О недопустимости даже мельчайших следов примесей и неоднородностей в изготовляемых для электронной техники веществах можно судить по тому факту, что на 1 см2 поверхности микросхем умещается 660000 современных полупроводниковых диодов. [11]
Таким образом, по своей природе между экстракцией и другими методами получения высокочистых веществ, основанными на распределении примеси между двумя различными фазами ( ректификация, зонная плавка, сорбция), имеется глубокая аналогия. Так же, как и эти процессы, экстракция основывается на законах, относящихся к явлениям растворимости, гетерогенного равновесия и диффузии. [12]
Кристаллизация веществ из расплавов, особенно зонная перекристаллизация, распространена как метод получения высокочистых веществ. Ее используют на заключительных этапах очистки для удаления остаточных крайне малых количеств примесей и образования совершенной монокристаллической структуры вещества. [13]
Из адсорбционных методов в последнее время одно из ведущих мест занимает хроматографический метод получения высокочистых веществ. Высокая эффективность хроматографического метода разделения смесей веществ сделала возможным появление понятия хроматограф и чески чистое веществ о, которое в применении к органическим растворителям рассматривается как эталон чистоты. Методом препаративной хроматографии осуществляется сейчас промышленный выпуск большого числа органических соединений, применяемых в хроматографии для идентификации веществ, а также для калибровки хроматографов. [14]
Линейный закон распределения истинно изоморфных веществ имеет очень большое практическое значение для разработки методов получения чистых и высокочистых веществ. Он позволяет количественно оценивать эффект очистки в процессах кристаллизации и осаждения при любых ультрамикроконцентра-циях примеси изоморфного катиона или аниона, на основании известных данных по фракционированию той же примеси при ее микроконцентрациях, а во многих случаях, даже при ее макроконцентрациях. [15]
Страницы: 1 2 3