Получение - полупроводниковое соединение
Cтраница 1
 |
Зависимость подвижности ц носителей в растворах прямозонных полупроводников GaTIni tAs от концентрации компонентов ( х. [1] |
Получение особо чистых полупроводниковых соединений осуществляют, применяя для их синтеза очищенные компоненты. Синтез соединений, имеющих большое давление паров летучего компонента над расплавом, осуществляют в камерах высокого давления. Часто синтез совмещают с последующей дополнит, очисткой соединения путем направленной или зонной кристаллизации расплава. Направленную кристаллизацию осуществляют перемещением контейнера с расплавом в область ( зону) с градиентом темп-ры. При зонной плавке расплавленная зона перемещается вдоль кристалла. [2]
Для получения полупроводниковых соединений в качестве исходных материалов используются галлий и другие компоненты высшей степени чистоты. Особенно тщательно очищают от тех примесей, которые с трудом удаляются при последующей кристаллофизической очистке соединений. В случае, например, арсенида галлия такими примесями являются сера и селен. [3]
 |
Схема зонной плав - За последние два десятилетия. [4] |
Основным технологическим этапом получения полупроводниковых соединений является их синтез. [5]
Все шире в газотранспортных процессах получения полупроводниковых соединений применяется транспорт галлия в виде его же соединений. В качестве транспортирующего агента наиболее часто используется хлористый водород, в результате взаимодействия которого с галлием образуются хлориды галлия. Из экспериментов Ричмана [1] известно, что активным галогенидом, участвующим в процессе синтеза полупроводникового соединения, является монохлорид галлия. Гастингер [2] экспериментально показал существование соединения, близкого по своему составу к монохлориду галлия. Голдсмит [3] и советские авторы Г. А. Ко-ковин и Ф. А. Кузнецов [4] на основании термодинамических расчетов определелили долю GaCl в составе хлоридов. Полученные разными авторами данные противоречивы. [6]
Обзор исследований в области технологии получения аморфных полупроводниковых соединений приводится в гл. Здесь же освещены технологические особенности получения и приборного применения этих материалов. [7]
В работе [1] была показана возможность получения фоточувствительных полупроводниковых соединений калия с сурьмой при использовании для введения калия вакуум-электрохимического метода, основанною на ионной проводимости щелочных силикатных стекол. Фотоэмиссия полупроводниковых соединений - свойство, чувствительное к нестехиометрическим излишкам компонентов, поверхностной абсорбции, степени беспорядка и различным дефектам. Ничтожно малые изменения состава влекут за собой значительное изменение фотоэмиссин. Для контроля за составом соединений, образующихся в процессе формирования фоточувстви-тельных слоев, обычно применяют химические1 анализы слоев и взвешивание пленки на кварцевых микровесах в вакууме. Кроме того, они дают лишь суммарный результат без информации о фазовом составе слоя. Например, полученное такими методами атомное отношение K / Sb - 3 / 1 на самом деле может означать смесь фаз KsSb, KsSb4 и растворенный в них калий. [8]
Галлий используют для легирования германия и кремния и для получения полупроводниковых соединений. [9]
Для использования элементарных полупроводников в полупроводниковой технике, а также для получения полупроводниковых соединений из очень чистых компонентов необходимы материалы с очень высокой степенью чистоты. Степень чистоты полупроводникового материала определяется в зависимости от того, для какой цели он предназначен. Способы очистки материала разнообразны. Ниже кратко рассмотрены наиболее часто применяемые способы очистки. [10]
Для использования элементарных полупроводников в полупроводниковой технике, а также для получения полупроводниковых соединений из очень чистых компонентов необходимы материалы с очень высокой степенью чистоты. Степень чистоты полупроводникового материала определяется в зависимости от того, для какой цели он предназначен. Способы очистки материала разнообразны. Ниже кратко рассмотрены наиболее часто применяемые способы очистки. [11]
Высокочастотный нагрев используется при получении монокристаллов кремния методом бестигельной зонной плавки, очистке германия, получении полупроводниковых соединений А3В5 и других процессах. Все большее распространение находит индукционный нагрев и в производстве эпитаксиальных слоев. [12]
Как известно, нанесение тонких полупроводниковых пленок важно для решения задач микроминиатюризации и производится в настоящее время из газовой фазы [107], Электролитический способ получения полупроводниковых соединений привлекает внимание простотой выполнения, малым расходом материала, а также возможностью легко регулировать толщину покрытия. [13]
Поскольку при эпитаксии из жидкой фазы осаждаемое вещество находится в растворенном состоянии, данный метод применим лишь в тех случаях, когда растворитель не оказывает неблагоприятного влияния на подложку. Получение полупроводниковых соединений III-V групп не вызывает проблем, так как растворителями могут служить вещества, входящие в состав этих соединений. Следует отметить, что методом жидкофазной эпитаксии трудно получать полупроводниковые соединения, содержащие более двух компонентов, в основном вследствие различия их коэффициентов распределения в твердой фазе. Кроме того, наличие растворителя не позволяет точно регулировать состав выращиваемых слоев. [14]
Си и РЬ таким же образом определяются в индии [18] и ряд примесей в цинке [19], применяемых для получения сложных полупроводниковых соединений. [15]
Страницы: 1 2