Получение - фототок
Cтраница 1
Получение фототока, зависящего от измеряемо. [1]
Для получения более сильных фототоков обычно применяют вместо вакуумных газоразрядные фотоэлементы. Они широко применяются в фотореле, простейших приборах для измерении освещенности. [2]
В основу работы этих Преобразователей положено получение фототока, определяемого световым потоком, зависящим от измеряемой неэлектрической величины, или получение импульсов фототока, частота которых зависит от измеряемой величины. [3]
Как уже упоминалось в § 65, в настоящее время удается для получения фототока использовать до 15 % энергии света. [4]
Как уже упоминалось в § 65, в настоящее время удается для получения фототока использовать до 15 % энергии света. Цифра, приводимая в тексте, относится к явлениям фотоэффекта, наблюдаемым при освещении металлов. [5]
Как уже упоминалось в § 65, в настоящее время удается для получения фототока использовать до 10 - 12 % энергии света. Цифра, приводимая в тексте, относится к явлениям фотоэффекта, наблюдаемым при освещении металлов. [6]
Как уже упоминалось в § 65, в настоящее время удается для получения фототока использовать до 15 % энергии света. Цифра, приводимая в тексте, относится к явлениям фотоэффекта, наблюдаемым при освещении металлов. [7]
Сравнивая рассмотренные схемы построения трубок, можно заметить, что наряду с хорошо известными процессами получения фототоков, их емкостного накопления, а также развертки; каждая из схем предусматривает особый механизм считывания зарядов. Развертывающий луч, считывая с мишени накопленный потенциальный рельеф, одновременно должен привести потенциал всех ее участков к определенному первоначальному значению. Только при этом условии возможна периодическая безынерционная работа трубки, обеспечивающая покадровую передачу изображений. [8]
Здесь р0 и р - значения коэффициентов ослабления светового потока, которые приходится вносить с помощью ослабителя в первом и втором случае для получения одинаковых фототоков под действием различных световых потоков F0 и F, прошедших через растворы. [9]
Направление кривых характеристик зависимости подъема ножки измерительной головки от изменения напряжения в сети осветителя для реле № 2 и второго срабатывания реле № 1 показывает, что с увеличением напряжения чувствительность схемы увеличивается и что для срабатывания реле ножку следует поднимать на меньшую высоту, нежели это нужно было бы в случае нормального освещения. Это обусловливается тем, что лучше освещаемый фотоэлемент генерирует больший фототок, между тем как реле потребляет фототок определенной величины. В этом случае для получения фототока необходимой величины ножку измерительной головки следует поднять на высоту, меньше нормальной. [10]
Металлические Rb и Cs по химическим свойствам очень похожи на калий, но проявляют большую химическую активность. На высокой химической активности основано их использование в качестве геттеров ( газопоглотителей) в вакуумных электронных приборах. Атомы рубидия и цезия настолько непрочно удерживают валентные электроны, что их могут выбить кванты света. На этом основано использование этих металлов для получения фототока в фотоэлементах. [11]
Максимальное значение Е достигает ЕСВ у высоколегированного полупроводника га-типа или EVE у высоколегированного полупроводника р-типа. Изгиб зоны зависит от разности потенциалов зоны и Егеаох в полупроводнике и электролите, взятых по отдельности. Поэтому предельные значения не могут быть достигнуты без потери желаемого разделения вновь образующихся электрон-дырочных пар и подавления их последующей рекомбинации. Для получения максимального фототока, по-видимому, достаточно иметь искривление примерно на 0 3 В. Как уже обсуждалось в разд. При падении ширины запрещенной зоны полупроводника ниже 1 эВ фототек возрастает, но напряжение оказывается низким; при росте ширины запрещенной зоны выше 1 6 эВ начинает уменьшаться ток. Между прочим, существует доказательство того, что красители, нанесенные на поверхность, могут повысить ток у полупроводников с широкой запрещенной зоной. [12]
 |
Схема конструкции многопереходного солнечного элемента с У-образными канавками. [13] |
В многопереходных солнечных элементах данного типа основная часть носителей генерируется вблизи освещаемой поверхности. Однако носители могут перемещаться не только параллельно этой поверхности. Максимальное расстояние, которое им необходимо преодолеть для достижения перехода, равна Wp. Часть носителей генерируется более глубоко под освещаемой поверхностью и, следовательно, ближе к переходу. Кроме того, за счет многократного внутреннего отражения света от тыльных и боковых участков поверхности, покрытых слоем металла, обеспечивается более высокий общий коэффициент собирания носителей, чем у обычного планарного солнечного-элемента, толщина которого равна высоте трапецевидных элементов. Общий коэффициент собирания определяется здесь как отношение количества поглощенных фотонов к количеству фотонов, прошедших в элемент. Таким образом, эффективная оптическая толщина многопереходного солнечного элемента ва много раз превышает его реальную толщину. Согласно расчетам [16], при высоте единичных элементов, равной 50 мкм, средняя эффективная оптическая толщина составляет 267 мкм, что соответствует общему коэффициенту собирания более 93 %, При использовании тонких слоев кремния высокие значения общею коэффициента собирания обеспечивают получение высокого фототока даже при недостаточно большом времени-жизни носителей. [14]
Страницы: 1