Получение - свободный электрон
Cтраница 1
 |
Принципиальная схема установки для сварки электронным лучом. [1] |
Получение свободных электронов достигается применением раскаленного катода, испускающего электроны. Ускорение и концентрация электронов обеспечивается электрическим и магнитным полями. Резкое торможение электронного потока достигается автоматически при внедрении электронов в металл. [2]
Для получения свободных электронов в вакууме может быть использована термоэлектронная эмиссия. [3]
Такое устройство для получения свободных электронов, сообщения им больших скоростей и собирания потока электронов в пучок с выведением его в плавильное пространство, где отсутствует электрическое поле, называют электронной пушкой. [4]
При другом способе получения свободных электронов их количество и скорость растет в результате увеличения потока видимого света, ультрафиолетовых, инфракрасных или рентгеновых лучей, падающих от какого-либо источника на поверхность эмитирующего электрода. Подобное явление называется фотоэлектронной эмиссией. На нем основано действие фотоэлементов. [5]
 |
Схематический разрез пятиэлектродной лампы. [6] |
Катодом называется электрод, предназначенный для получения свободных электронов в рабочем объеме прибора, В электронных лампах используются термокатоды, которые испускают ( эмиттируют) электроны при разогреве, Анодом называется электрод, предназначенный для собирания электронов, змиттируемых катодом. [7]
Тлеющий разряд: представляет другую возможность получения свободных электронов. Ускоряющее напряжение составляет от 1 кВ до 1 5 MB, а вакуум - 10 - 4 торр. [8]
Тлеющий разряд: представляет другую возможность получения свободных электронов. Ускоряющее напряжение составляет от 1 кВ до 1 5 MB, а вакуум - 10 - 4 торр. [9]
 |
Распределение электроннолучевых технологий по мощности. [10] |
Электронной пушкой называется устройство, предназначенное для получения свободных электронов, их ускорения, формирования в пучок и проведения пучка к объекту обработки. [11]
Любой из имеющихся в продаже источников а - или р-излу-чения можно использовать для получения свободных электронов из аргона. Требуется радиоактивность, обеспечивающая ток от 10 - 8 до 3 - 10 - 8 а в микродетекторе и в триодном детекторе и ток от 3 - 10 - 9 до 10 - 8 а в простых детекторах. Пригодны источники, содержащие 20 - 50 мккюри изотопа с а-излучением или 10 - 50 мкюри изотопа с - излучением. Недавно было показано, что использование трития в качестве радиоактивного элемента обеспечивает большую безопасность работы, а также лучшие результаты. Однако тритиевые источники способны терять активное вещество при температуре выше 250 С и, так как пока не известны их характеристики, они не могут быть рекомендованы для работы при температурах свыше 200 С. [12]
Любой из имеющихся в продаже источников а - или 3-излу-чения можно использовать для получения свободных электронов из аргона. Требуется радиоактивность, обеспечивающая ток от 10 - 8 до 3 - 10 - 8 а в микродетекторе и в триодном детекторе и ток от 3 - 10 - 9 до 10 - - 8 а в простых детекторах. Пригодны источники, содержащие 20 - 50 мккюри изотопа с а-излучением или 10 - 50 мкюри изотопа с - излучением. Недавно было показано, что использование трития в качестве радиоактивного элемента обеспечивает большую безопасность работы, а также лучшие результаты. Однако тритиевые источники способны терять активное вещество при температуре выше 250 С и, так как пока не известны их характеристики, они не могут быть рекомендованы для работы при температурах свыше 200 С. [13]
По сравнению с кенотроном у газотрона анодный ток во много раз сильнее, что объясняется получением добавочных свободных электронов от ионизации и нейтрализации отрицательного объемного заряда положительными ионами. Внутреннее сопротивление газотрона не превышает десятков или единиц ом. [14]
Кристаллы с ковалентной связью представляют собой диэлектрики с малой величиной проводимости, которая увеличивается лишь при разрыве химических связей и получении свободных электронов, или при введении донорно-акцепторных примесей, превращающих диэлектрики в полупроводники. [15]
Страницы: 1 2