Cтраница 3
В настоящее время основным источником получения германия являются отходы цинкового производства и коксования каменных углей. [31]
![]() |
Схема замкнутого устрой-ства для проведения процесса оса-ждения из паров способом диспро-п РЦио иРования. [32] |
Подобный метод часто используется при получении германия и кремния. В ходе реакции обеспечивается транспортировка германия или кремния из высокотемпературной зоны источника к низкотемпературной зо е подложки ( так называемая транспортная реакция), в потоке паров галогена или его соединения. [33]
Как мы увидим позже, при получении германия следует стремиться к достижению максимально возможной степени чистоты. Такой германий обладает значительно большим сопротивлением, чем это желательно для изготовления полупроводниковых усилителей. Это обстоятельство позволяет путем последующего введения определенного количества нужной примеси получать германий с нужными величиной и типом ( п или р) проводимости. [34]
Растворимые в воде кристаллы; применяется для получения германия, как компонент специальных стекол, стекловолокна и люминофоров. [35]
Пфанн ( США) применил З.п. для получения германия высокой степени чистоты. [36]
![]() |
Радиоактивные изотопы германия. [37] |
В настоящее время одним из основных источников получения германия служит каменный уголь, из которого германий извлекают как отход при сгорании. [38]
Восстановление двуокиси германия водородом - наиболее распространенный в промышленной практике способ получения германия. [39]
Методы очистки и изготовление монокристаллов бинарных полупроводников в общем аналогичны технологии получения сверхчистого германия. Однако ввиду летучести неметаллического компонента арсенидов и фосфидов методы их получения и очистки несколько изменены для устранения вредного влияния испарения мышьяка и фосфора. [40]
При вытягивании монокристалла в последний вводят в строго контролируемом количестве примеси для получения германия с определенной величиной и типом электропроводности. [41]
Очистка материалов методом зонной плавки, разработанная в 1952 г. специально для получения высокочистого германия, основана на способности примесей снижать температуру плавления вещества. Поэтому если зона высокого нагрева ( зона плавления) перемещается вдоль образца материала, то в том месте, которое выходит из этой зоны, затвердевает в первую очередь главное ( избыточное) вещество, имеющее более высокую температуру плавления по сравнению со смесью. Примеси же остаются в расплавленном участке образца и по мере передвижения зоны высокого нагрева накапливаются в ней, и в том конце образца, к которому приходит зона плавления, концентрация примесей становится максимальной. После чего этот конец отрезают. С оставшимся образцом материала такую операцию повторяют несколько раз. [42]
При 520 С эта реакция идет влево и можег быть использована для получения германия высокой чистоты. [43]
Технологический процесс получения германия делится на два этапа - обогащение германиевого концентрата и получение германия высокой чистоты. [44]
![]() |
Части диаграммы состояния в области твердых растворов. [45] |