Полуширина

Cтраница 1

Полуширина компонент дублета изменяется от 1 Э при - 21 до 0 1 Э при 70 С. [1]

Полуширина этой полосы в присутствии избытка едкого натра фактически не зависит от концентрации трифторацетата натрия. Водные растворы трифторацетата аммония также дают эту полосу, полуширина которой не зависит от концентрации трифторацетата аммония. [2]

Полуширина каждого из двух максимумов меньше полуширины волны с синусоидальным напряжением, что указывает на повышенную разрешающую способность, ривые четко разделяются, если расстояние между потенциалами полуволн составляет приблизительно 50 мв. [3]

Полуширина ( half-width) является наиболее распространенным способом измерения разброса. [4]

Зависимость среднеквадратичного радиуса распределения поглощенной энергии электронов от глубины, . 04 МэВ i. [5]

Полуширина радиальною распределения электронов, отраженных от полубесконечного поглотителя, составляет 0 3 R и увеличивается с уменьшением рассеяния. [6]

Полуширина ( Halfwidth) - позволяет воспользоваться устройством указания, закрепляя один конец резиновой нити на оси широкого линейного сегмента. В остальном действие опции аналогично описанной выше. [7]

Полуширина их возрастает при увеличении числа трифторпропильных групп. [8]

Полуширина Ъ определяется как координата точки, в которой скорость равна половине скорости на оси. При учете начальных перетеканий расчет качественно соответствует эксперименту. [9]

Полуширины полос согласуются с распределением расстояний О. Такое распределение расстояний может быть вызвано неупорядоченным расположением атомов водорода, которое, как известно, имеет место в этих полиморфных льдах. [10]

Размеры ( в миллиметрах образца с расслоением кромок. / - вкла -. 2 - накладка. [11]

Полуширина образцов составляла b 25 4 мм вместе с зонами, где были инициированы трещины. [12]

Полуширина триплета, соответствующего колебаниям внутри иона SO -, увеличивается на 16 см 1, что свидетельствует об изменении энергетических условий, изменении кристаллических частот колебаний, возникновении внутренних напряжений в кристаллах. [13]

Левая полуширина ( Дсо) 2 1 3 7Г, а правая - ( Дсо) 2 53 7 Г - При этом одновременно с корневым пиком (7.73) на левом краю полосы поглощения может наблюдаться также логарифмический пик на правом краю, если неравенство б со у не очень сильное, и ширина линии в доменах имеет достаточно малую величину. [14]

График функции распределения Гаусса. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5