Полуширина - линия
Cтраница 1
Полуширина линий излучения газовых ОКГ значительно меньше полуширины линий в спектрах поглощения атмосферных газов. Поэтому для оценки поглощения излучения ОКГ в атмосфере необходимо знать с высокой точностью положения интенсивности и форму линий в спектрах атмосферных газов. Существовавшие до появления ОКГ данные о поглощении оптического излучения атмосферными газами мало пригодны для оценки поглощения излучений ОКГ в атмосфере. [1]
Полуширина линии КР близка к полуширине соответствующих ИК-полос при той же температуре. [2]
 |
Влияние разбавления на относительную вязкость (., коэффициент экранирования ( 2 и полуширину полосы ЯМР ( 3 композиции, со дер. [3] |
Полуширина линии ЯМР характеризует упаковку молекул в растворе. Чем шире пик, т.е. чем больше полуширина линии, тем больше времени требуется для того, чтобы возбужденный протон релаксировал в первоначальное состояние, и, следовательно, тем теснее упаковка молекул спирта и ПАВ. Таким образом, максимум полуширины линии при 4 % TRS-10-410 говорит о том, что при этой концентрации имеет место плотнейшая упаковка молекул ПАВ и спирта. [4]
Полуширина линии резонансного поглощения в эмиссионном спектре источника: 57Со ( Сг) равна 0 30 мм / с. [5]
Полуширина передних и задних линий на электронограмме в пределах точности измерений оказалась одинаковой, что свидетельствует об отсутствии напряжений. [6]
Измерения полуширин линий, отличных по форме от дисперсионной ( которые делались некоторыми авторами), вообще говоря, лишены физического смысла и по меньшей мере должны быть специально обоснованы в каждом отдельном случае. Только после этого результаты подобных измерений возможно сравнивать в той или иной форме с выводами теории. [7]
Вычисление полуширины линий а, Ь на рентгенограммах III, IV, VI и сна рентгенограмме чистого CuS было проведено путем определения плотности почернения на микрофотометре МФ-2. Как показали результаты, средний эффективный размер зерна для CuS и CuInS2 равен - 3 - 10 - 6 см. Следовательно, частицы CuInS2, степень дисперсности которых составляет - 3 - 10 - 6 см, распределены в осадке CuS с размером частиц того же порядка. [8]
Величина полуширины линии зависит от ряда причин, из которых основными являются: 1) естественная полуширина; 2) доппле-ровское уширение; 3) уширение линии, вызванное взаимодействием атомов. [9]
Вычисление полуширины линий а Ь на рентгенограммах III, IV, VI иена рентгенограмме чистого CuS было проведено путем определения плотности почернения на микрофотометре МФ-2. Следовательно, частицы CuInS2, степень дисперсности которых составляет - 3 - Ю 6 см, распределены в осадке CuS с размером частиц того же порядка. [10]
ДЯЛ - полуширина линии, определяемая на полувысоте. [11]
Следовательно, измерив полуширину линии и используя эффект Доплера, можно найти температуру, а с помощью эффекта Штарка - концентрацию электронов плазмы. [12]
В приводят также полуширину линии резонанса ПВ. [13]
В приводят также полуширину линии резонанса ИВ. [14]
В кристаллах с полушириной линии 1 10 - 3 Т содержание включений мало ( делать заключение о полном их отсутствии оснований нет); основными факторами, определяющими прочность кристаллов, являются другие свойства ( габитус и ориентация кристаллов при разрушении, содержание мелкодисперсных включений и примеси азота и пр. [15]
Страницы: 1 2 3 4