Cтраница 4
![]() |
Схема с ячейкой автоматического смещения. [46] |
Для этого в провод, соединяющий катод лампы с отрицательным полюсом источника питания анодной цепи, включают активное сопротивление R, зашунтированное емкостью Ск. Так как конденсатор Ск обладает малым сопротивлением для переменной составляющей катодного тока, то переменное напряжение между точками а и b практически отсутствует. [47]
Если изменить полярность внешнего напряжения ( подключить к / 7-области отрицательный полюс источника), то при его повышении высота потенциального барьера в / 7-и-переходе возрастает, а диффузионный ток основных носителей заряда падает. Уже при U як - 0 5 В диффузионный ток прекращается и при дальнейшем повышении внешнего напряжения через р-л-переход будет проходить только дрейфовый ток неосновных носителей, который называется обратным, или тепловым током электронно-дырочного перехода. Так как число неосновных носителей значительно меньше, чем основных, величина тока через, переход в этом случае будет небольшой по сравнению с током при прямом включении и практически постоянной при изменении U в широких пределах. [48]
На рисунке показано три электрона, перешедших на верхнюю обкладку с отрицательного полюса источника питания. Эти же силы препятствуют поступлению исполнительных электронов от источника питания. Напомним, что емкость определяется отношением накопленного заряда к приложенному напряжению ( CQ / E), поэтому рассмотренный конденсатор имеет относительно малую емкость. Если площадь обкладок больше, как это показано на рис. 3.35, то взаимное отталкивание между электронами уменьшается и, следовательно, противо - ЭДС, обусловленная тем же количеством электронов, будет меньше, чем в первом случае. В связи с этим при одном и том же напряжении источника питания количество электронов на верхней обкладке увеличится, что означает увеличение емкости конденсатора. Таким образом, емкость прямо пропорциональна площади обкладок: увеличение вдвое площади обкладок приводит к такому же увеличению емкости конденсатора. [49]
Если питание транзисторного каскада осуществляется через индивидуальный развязывающий ЛС-фильтр, включенный между отрицательным полюсом источника питания и резистором или катушкой индуктивности в цепи коллектора ( транзистор структуры р-п - р, заземлен положительный полюс источника питания), то при расчете коэффициента нестабильности следует пользоваться формулами ( 1 - 26) для схем Ж к И в табл. 5, принимая величину RK за сопротивление резистора упомянутого фильтра. Когда же, как показано на схеме Ж, включен резистор междукаскадной связи, то в формулу ( 1 - 26) следует подставлять значение RK, равное сумме сопротивлений резисторов связи и фильтра. И), то при расчете его сопротивление во внимание не принимают. [50]
![]() |
Логический элемент ИЛИ на диодах ( а и на транзисторах ( б.| Логический элемент НЕ. [51] |
При отсутствии управляющего импульса транзистор заперт и потенциал его выходного зажима равен потенциалу отрицательного полюса источника питания. При подаче отрицательного импульса на базу транзистор открывается и потенциал входного зажима становится равным потенциалу положительного полюса источника питания. Приняв потенциал положительного полюса за нуль, получим в первом случае отрицатель - 8ых ный, во втором случае - нулевой потенциал на выходном зажиме. [52]
![]() |
Логический элемент ИЛИ на диодах ( а и на транзисторах ( б.| Логический элемент НЕ. [53] |
При отсутствии управляющего импульса транзистор заперт и потенциал его выходного зажима равен потенциалу отрицательного полюса источника питания. При подаче отрицательного импульса на базу транзистор открывается и потенциал входного зажима становится равным потенциалу положительного полюса источника питания. [54]
Если теперь включить внешний источник так, что дырочная область окажется соединенной с отрицательным полюсом источника, внешнее электрическое поле будет направлено так же, как и диффузионное, а потенциальный барьер повысится. Так как количество неосновных носителей значительно меньше, чем основных, ток через переход в этом случае будет мал по сравнению с тем, который получается при прямом включении. Направление включения электронно-дырочного перехода, когда р-область его присоединена к минусу внешнего источника напряжения, а - область - к плюсу, называется обратным. [55]
В схеме усилителя с катодной нагрузкой сопротивление нагрузки включается между катодом лампы и отрицательным полюсом источника анодного питания, соединенным с корпусом устройства. Источник анодного питания обладает довольно значительной емкостью относительно корпуса устройства. Эта паразитная емкость ( показанная на фиг. [56]
В последнее время в мировом автомобилестроении принята схема, в которой к массе присоединяют отрицательный полюс источников и потребителей тока. [57]
![]() |
Узел нанесения порошка механизированной установки. [58] |
Находясь в псевдоожиженном состоянии, частицы порошка заряжаются электродом 7, который соединен с отрицательным полюсом источника высокого напряжения. Отрицательно заряженные частицы порошка под действием сил электростатического поля оседают на изделии, имеющем противоположный заряд, и удерживаются на его поверхности. [59]
![]() |
Схема движения электронов и дырок в полупроводнике. [60] |