Поля - рассеяние
Cтраница 2
Исследование полей рассеяния от поверхностных дефектов - Наиболее подробно и последовательно эта задача решалась Н. Н. Запепиным и его сотрудниками. [16]
 |
К определению геометрического места. [17] |
Поэтому изменяются поля рассеяния и основное поле в машине. [18]
Для уменьшения полей рассеяния вибраторы сдваивают по схеме фиг. [19]
Для регистрации полей рассеяния применяют магнитный порошок, магнитную ленту, феррозонды, преобразователи Холла, индукционные, магни-торезистивные и магнитодиодные преобразователи. [20]
Под влиянием полей рассеяния, неточности изготовления элементов трубки и других факторов появляется так называемая нелинейность трубки - зависимость чувствительности от отклоняющего напряжения. Для увеличения чувствительности трубки расстояние между отклоняющими пластинами следует уменьшать. Минимально возможное значение d должно быть таким, чтобы электроны не попадали на отклоняющие пластины. [21]
 |
Поперечное сечение сердечника трансформатора с магнитными шунтами на консолях ярмовых балок. [22] |
Потери от полей рассеяния можно значительно уменьшить, направляя поток в обход тех элементов, где возможны большие потери. Это также делается главным образом с помощью магнитных шунтов. Большая часть потока рассеяния, входящего в консоль нижней ярмовой балки, попадает в магнитопровод, причем магнитный поток входит в крайние пакеты сердечника перпендикулярно поверхности листов. При этом основная часть потока, входящего в консоль ярмовой балки одной фазы, по продольным шунтам 4 направляется в соседнюю фазу. [23]
Наибольшее снижение полей рассеяния ( до 80 А / м и менее) достигается применением компенсационных катушек размагничивания и дополнительным экранированием воздушного пространства над магнитопроводом4 [7], а регулирование степени компенсации обеспечивает возможность получения в отдельных участках рабочей зоны напряженности, близкой к нулю [10], что позволяет проводить испытания даже особо чувствительных к магнитным полям изделий с применением чувствительных к магнитным полям датчиков. [24]
Для выявления полей рассеяния с малым градиентом наиболее пригодна суспензия со сцепленными частицами. [25]
Реактивная мощность полей рассеяния при холостом ходе вследствие незначительности тока статора и практического отсутствия тока в роторе весьма мала. Однако по мере роста нагрузки и одновременного роста тока она быстро растет. Это возрастание происходит почти пропорционально квадрату тока. В результате полная реактивная мощность растет с ростом нагрузки. [26]
При изучении полей рассеяния от наружных и внутренних дефектов было установлено [23], что максимум тангенциальной составляющей поля дефекта проходит через плоскость симметрии над дефектом, а нормальная составляющая поля рассеяния равна нулю над дефектом и имеет два противоположных по знаку максимума в точках с координатами по оси абсцисс, пропорциональными глубине залегания дефекта. [27]
Для экранирования значительных полей рассеяния целесообразно применять многослойные экраны, причем внешний экран можно изготовлять из менее качественного и более дешевого материала. Многократное экранирование применяется также для достижения большого затухания поля помех и при высокой частоте помех. В последнем случае удобен экран из взаимно изолированных тонкостенных стаканов с толщиной стенки, равной приблизительно глубине проникновения поля. Выгодны комбинированные экраны из магнитных и немагнит-ных материалов. Этим достигается одинаковая величина затухания в широком диапазоне частот. [28]
При изменении полей рассеяния пермаллоевых покрытий использование эффекта Керра не дает необходимые даже качественные характеристики, так как с его помощью можно получить лишь поверхностное распределение намагниченности покрытия, а использование эффекта Фарадея не позволяет измерить магнитное поле под пермаллоевым покрытием. [29]
Елоховская линия создает поля рассеяния. Эти поля уменьшаются, если БЛ разбивается, на две части, намагниченность в к-рых ориентирована антипараллельно. Возникающая при этом переходная область-неоднородное распределение намагниченности в БЛ - наз. БЛ, намагниченность в к-рой ориентирована вдоль поля. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5