Cтраница 2
Для оценки надмолекулярных образований меньшего размера используют электронную микроскопию Просвечивающая электронная, микроскопия ( ПЭМ) в принципе аналогична световой, но вместо светового пучка используют пучок электронов Длина волны пучка электронов л зависит от напряжения V Я. Для ускорении электронов применяют высокое напряжение ( 50 - 100 кВ и даже 1 МБ); электронный пучок фокусируется с помощью электростатических электромагнитных полей Изображение формируется с помощью дополнительных электростатических или электромагнитных лннз и наблюдается на флуоресцентном экране или фотопластинке. С повышением напряжения снижается длина волны пучка электронов н следовательно, растет разрешающая способность микроскопа. Возникновение контраста на электронно микроскопических снимках обусловлено различной рассеивающей способностью идер разных атомов по отношению к электронному лучку. Этот метод используют для изучения морфологии кристаллов н аморфных полимеров. [16]
Температура и влажность воздуха в рабочей зоне производственных цехов изменяются в широких пределах и часто достигают значений намного выше, чем в окружающей среде предприятия. Производственные процессы вызывают загрязнение воздуха цеха твердыми, жидкими и газообразными смесями и создают высокий уровень вибраций. Потребляемая в больших количествах в технологическом процессе электроэнергия может вызвать появление как значительных электростатических и электромагнитных полей в зоне работы отдельных компонентов СА с ММЭВМ, так и импульсных помех в цепях переменного тока. [17]
Одним из простейших способов регулирования является использование переменного сопротивления, включенного на входе усилителя по схеме потенциометрического регулятора. Достоинством схемы является то, что регулятор может быть включен на входе транзисторного усилителя любого типа. Однако данная система регулирует малые сигналы во входных цепях усилителя и поэтому должна иметь хорошую экранировку от электростатических и электромагнитных полей. При перемещении ползунка регулятора часть помехи усилителя, обусловленная наводками на входные цепи, изменяется с изменением величины чувствительности, что может привести к увеличению основной погрешности прибора. Этот недостаток схемы ограничивает область ее применения высокопредельными приборами. [18]
Зависимость анодного тока ФЭУ от интенсивности падающего излучения линейна только до определенного значения. Спектральная чувствительность ФЭУ также определяется материалом катода, которые чаще всего бывают цезиевыми или сурьямно-цезиевыми. Одним из достоинств ФЭУ является также их малая инерционность. ФЭУ заключают в светонепроницаемый экран, который одновременно служит защитой от электростатических и электромагнитных полей. [19]
Управляющая вычислительная система часто устанавливается непосредственно на промышленном предприятии. Окружающая среда при этом обычно оказывается менее благоприятной, чем в случае размещения системы в учреждении. Температура и влажность окружающего воздуха изменяются в широких пределах и нередко достигают значений, более высоких, чем за пределами предприятия в районе его расположения. Различные производственные процессы повышают загрязненность воздуха твердыми, жидкими и газообразными примесями. Потребляемая в больших количествах электроэнергия служит причиной возникновения ощутимых электростатических и электромагнитных полей в зоне установки ЭВМ. [20]
Даже при данном составе смеси скорость реакции может колебаться с изменением температуры материала в реакционной зоне. Регулирование температуры возможно и путем использования различных теплообменников. Иногда в реакторе меняется давление, что также может влиять на скорость реакции. Поддержание постоянства давления в реакторе ( если это необходимо для проведения процесса) относится в общем случае к области гидродинамики. На некоторые виды химических реагентов может воздействовать лучистая энергия. Видимый свет, рентгеновские лучи и другие виды радиации могут приводить к образованию свободных радикалов и другим реакциям. При помещении материалов в сильные электростатические и электромагнитные поля создается ряд потенциальных барьеров, что способствует выделению свободных радикалов. [21]