Cтраница 2
В написанном виде уравнение справедливо только для статических полей. Оно было бы справедливо и в случае переме-менных полей, если бы ориентация дипольных молекул при изменении напряженности поля диэлектрика происходила безынерционно. [16]
Но мы рассматриваем здесь переменные, а не статические поля. Отличными от нуля в них могут быть только у-и г-составляющие. Легко установить связь между этими составляющими. [17]
При поперечно-построчном считывании с магнитной ленты локальной записи статических полей дефектов в воспроизводящей головке возникают электрические сигналы, имеющие импульсный характер. [18]
Известно, что вблизи от источников поле очень напоминает статические поля. У нас средняя сила источников равна нулю, потому что у каждой пары соседних источников знаки противоположны. Любые поля, существующие здесь, должны с расстоянием убывать экспоненциально. Вплотную к источнику мы в основном воспринимаем поле этого ближайшего источника; на больших расстояниях уже воздействует несколько источников, и их суммарное влияние дает нуль. Мы теперь понимаем, отчего волновод ниже граничной частоты дает экспоненциально убывающее поле. При низких частотах годится статическое приближение, и оно предсказывает быстрое ослабление полей с расстоянием. [19]
Катушка заключена в экранирующую дюралюминиевую трубу для защиты от статических полей, от атмосферных и механических воздействий. Разрез в верхней части экранирующей трубы предотвращает возникновение кольцевых токов. [20]
Холла, обладают очень низкой чувствительностью к магнитной записи статических полей дефектов. [21]
Во-первых, здесь существует только две скорости: нуль для статических полей и скорость света для электромагнитной волны ( об этом см. ниже, гл. [22]
В магнитографических дефектоскопах, где осуществляется поперечное воспроизведение магнитной записи статических полей рассеяния от дефектов, обычно применяют головки с рабочим зазором не более 10 мкм. [23]
Магнитные и электростатические экраны эффективны для защиты от воздействия не только статических полей, но и медленно изменяющихся ( с частотой десятки и сотни герц) полей. На высоких частотах ( десятки килогерц и более) применяются электромагнитные экраны. Их экранирующий эффект обусловлен явлениями частичногоЪтражения электромагнитных волн от поверхности экрана и поглощением энергии в техе экрана. [24]
Магнитные и электростатические экраны эффективны для защиты от воздействия не только статических полей, но и медленно изменяющихся ( с частотой десятки и сотни герц) полей. На высоких частотах ( десятки килогерц и более) применяются электромагнитные экраны. Их экранирующий эффект обусловлен явлениями частичного отражения электромагнитных волн от поверхности экрана и поглощением энергии в техе экрана. [25]
Затем выводятся полные системы уравнений в дифференциальной форме для всех видов статических полей. [26]
Исследование этих уравнений прежде всего показывает, что не могут существовать сферически симметричные статические поля Максвелла - Дирака, что, конечно, неудивительно, так как в этой теории электрон рассматривается настолько точно, насколько это допускает классическая физика ( без вторичного квантования и учета радиационных и поляризацп-онно-вакуумных эффектов), так что наличие у электрона спинового механического и магнитного моментов неизбежно запрещает существование сферически симметричных статических решений. [27]
При исследовании миграции динамо-волн в присутствии границ, уже проводившемся для случая статических полей в предшествующем подразделе, необходимо Решить дисперсионное соотношение (19.23) относительно волновых сел. Это уравнение имеет четвертый порядок по волновым чис-i поэтому при заданном 1 / т оно имеет четыре корня. [28]
В предельном случае нулевой частоты, как мы знаем из электростатики и магнитостатики, статические поля в диэлектрике продольны в том смысле, что они получаются из скалярных потенциалов и поэтому параллельны направлению пространственного изменения последних. [29]
Введенная, таким образом, скалярная величина ф называется электрическим потенциалом и совпадает для статических полей с электростатическим потенциалом, рассмотренным в § 7 гл. [30]